Élaboration de nouvelles méthodologies d’évaluation de la fiabilité de circuits nanoélectroniques

• Auteur / Autrice : Issam El Moukhtari
• Direction : Dean Lewis, Vincent Pouget, Frédéric Darracq
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Electronique
• Date : Soutenance le 29/11/2012
• Etablissement(s) : Bordeaux 1
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
• Jury : Président / Présidente : Nathalie Labat
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Philippe Perdu
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : Marise Bafleur, Frédéric Saigné

Mots clés

Mots clés contrôlés

Fiabilité

MOS complémentaires

Mots clés libres

Nbti

Porteurs chaud

Tddb

Électromigration

Effets singuliers

Test par faisceau Laser pulsé

CMOS 65 nm basse puissance

Robustesse

Nbti

Hci

Tddb

Electromigration

Single Event Effects

Pulsed laser testing

CMOS 65 nm Low Power

Robustness

Résumé

Ce travail constitue une contribution à l’étude de la synergie entre le vieillissement accéléré et l’évolution de la robustesse aux évènements singuliers pour les technologies MOS avancées. Ce manuscrit expose le travail fait autour de la Caractérisations des mécanismes de dégradation NBTI, HCI, TDDB et Electromigration sur les structures de tests conçues dans le véhicule de test NANOSPACE en technologie CMOS LP 65 nm. Il décrit aussi l’évaluation de la robustesse face aux évènements singuliers après un vieillissement de type NBTI sur les chaines de portes logiques (inverseurs, NOR, bascules D). Cette dernière partie nous a permis de démontrer que le vieillissement de type NBTI améliore la robustesse face aux SET dans ce cas d’étude.

This work is a contribution to the study of the synergy between accelerated aging and the evolution of robustness to single event effects for advanced MOS technologies.This manuscript describes the work done around the characterization of degradation mechanisms NBTI, HCI, TDDB and Electromigration on test structures designed in the NANOSPACE test vehicle on CMOS 65 nm Low Power technology. It also describes the evaluation of the robustness to Single Events Effects after NBTI aging on chains of logic gates (inverters, NOR, D flip-flops). This last part allows to show that the NBTI aging improves the robustness to SET in this case of study.