Nathalie Labat
Mots clés
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Fiabilité
Nitrure de gallium
Transistors à effet de champ à dopage modulé
MOS (électronique)
HEMT
GaN
Transistors
Analyse de défaillance
Détérioration
MOS complémentaires
Encapsulation (électronique)
Transistors de puissance
Transistors MOSFET
Caractérisation électrique
Tcad
Microélectronique
Électromigration
Transistors bipolaires à hétérojonctions
Semiconducteurs à large bande interdite
Herméticité