Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences
Auteur / Autrice : | Wafa Khelifi |
Direction : | Bernard Jarry, Julien Lintignat, Raymond Quéré |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes |
Date : | Soutenance le 17/12/2018 |
Etablissement(s) : | Limoges |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences et Ingénierie des Systèmes, Mathématiques, Informatique (Limoges ; 2018-2022) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : XLIM |
Jury : | Président / Présidente : Alain Peden |
Examinateurs / Examinatrices : Dominique Langrez, Luc Lapierre, Tibault Reveyrand | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Alain Peden, Eric Kerhervé |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Ce document traite de la caractérisation et la modélisation des transistors multi-ports. Une caractérisation des transistors pHEMT à base de l'AsGa est réalisée. Une importance particulière est donné aux méthodes de caractérisation RF sous pointes. En effet, une étude sur les méthodes d’épluchage est réalisée. Ensuite, après avoir relevé un défaut dans la méthode choisie (à savoir la méthode Pad-Open-Short), une solution est proposée concernant les standards non idéaux. Finalement, des modèles non linéaires 3 et 4 ports sont développés, ils ont pour objectifs de réduire le temps, des phases de conception et de fiabiliser le prototypage des fonctions micro-ondes utilisant ces composants. Les travaux présentés ici sont dédiés à l’amélioration de la modélisation électrique des transistors axée, comme leur application, sur la bande Ku.