28nm FD-SOI  4G  4G LTE  5G  5g  60GHz  65nm CMOS SOI  APSE  ASIC  Accordabilité  Amplificateur Doherty à deux entrées  Amplificateur de puissance,  Amplificateur de puissance Classe AB  Amplificateur  Amplificateur CMOS  Amplificateur Classe E  Amplificateur Classe F  Amplificateur Faible-bruit  Amplificateur de Puissance  Amplificateur de haute puissance  Amplificateur de puissance  Amplificateur de puissance CMOS  Amplificateur de puissance Doherty  Amplificateur de puissance RF  Amplificateur distribué.  Amplificateur faible bruit  Amplificateur opérationnel  Amplificateurs  Amplificateurs de puissance  Amplificateurs de puissance CMOS  Amplificateurs faible bruit  Amplificateurs microondes  Amplificateurs opérationnels  Amplificateurs à transistors  Amplification de puissance  Analogique  Analyseur de réseau vectoriel 4-Ports  Antenne intégrée  Antennes  Antennes  Antennes à réseau réflecteur  Antennes-réseaux à commande de phase  Appareils électroniques -- Effets des rayonnements  Appareils électroniques -- Protection  Application radar  Architecture Equilibrée  AsGa  Augmentation de rendement  Auto-interférences  Autonome  Bande C  Bande Ka  Bande Ku  Bande Millimetrique  Beamforming  Beamforming numérique  Beol  BiCMOS  BiCMOS SiGe  Boucle a verrouillage de phase  Boucle cartésienne  Boucles d'asservissement de phase  Boîtier plastique QFN  Bruit radioélectrique  CDR  CMOS 65nm  CMOS  CMOS FD-SOI  CMOS FDSOI  Calibration  Calibration d'antenne  Capacité en courant  Caractérisation  Cavité résonante  Cavités résonnantes  Cavités résonnantes  Charge utile  Circuit différentiel  Circuit intégré  Circuit intégré millimétrique  Circuits d'horloge  Circuits intégrés  Circuits intégrés monolithiques hyperfréquence  Circuits intégrés numériques -- Conception et construction -- Informatique  Circuits intégrés à faible consommation  Classes de fonctionnement  Cmos  Co-intégration  Cointégration  Combinaison de puissance  Combineurs de puissance  Communication ultra large bande  Communications  Commutateur RF  Compromis linéarité-rendement  Conception  Conception des Circuits Intégrés  Conception et construction  Connecteur  Consommation d'énergie  Consommation.  Consumed area  Convertisseurs analogique-numérique  Coupleur hybride  Coupleur hybride reconfigurable  Co‐intégration  Current capability  DPD  Densité de métallisation  Densité spectrale de puissance  Dispositifs piézoélectriques  Dispositifs à ondes millimétriques  Dissipativité  Doherty  Dose cumulée  Double entrée  Driver  Driver de modulateur optique  Drones  Durcissement  Décalage en fréquence  Déphaseur  Détecteurs de microondes  Détecteurs de phase  Détecteurs de puissance hyperfréquence  Détection de spike  EVM.APSE  Elements passifs  Eléments Passifs  Eléments rayonnants  Emission ultra-Large bande  Equations Différentielles-Algébriques  Essais  FD-SOI technology  FPGA, microélectrodes  Fabrication additive  Factorisation Spectrale  Faible consommation  Faibles coûts  Fibre plastique  Filtes accordables  Filtrage du signal  Filtre  Filtre BAW-SMR  Filtre accordable  Filtres  Filtres actifs  Filtres en bande L et C  Filtres intégrés  Filtres large bande  Filtres passe-bande  Filtres radioélectriques  Filtres réjecteurs  Filtres électriques  Filtres électriques actifs  Fonctionnement alterné  Fonctionnement simultané  Formation de faisceau  Fort PAPR  Fort facteur de qualité  Fréquences millimétriques  Fréquences millimétriques  Full-Duplex  GaN  GaN HEMT  Graphene  Graphène  Guide d'ondes plastique  Guides d'ondes  Guides d’ondes  Haut rendement  Internet des objets  LTE  Linéarisation  MMIC  MOS  MOS complémentaires  Modélisation  Multi-standard  Multiplexage  Nitrure de gallium  Ondes millimétriques  Oscillateurs  RF  Radar  Radiofréquences  Résonateurs électriques  SiGe  Silicium  Silicium sur isolant complétement déplété  Systèmes de communication sans fil  Systèmes de télécommunications  Systèmes de télécommunications à large bande  Technique de linéarisation  Technologie 5G  Technologie CMOS  Transformateurs  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Téléphonie mobile  UMTS  Électronique en astronautique  

Eric Kerhervé dirige actuellement les 8 thèses suivantes :

Electronique
En préparation depuis le 15-10-2020
Thèse en préparation

Electronique
En préparation depuis le 17-01-2020
Thèse en préparation

Soutenance prévue le 13-06-2022


Eric Kerhervé a dirigé les 28 thèses suivantes :

Electronique
Soutenue le 06-12-2010
Thèse soutenue
Sciences physiques et de l’Ingénieur. Electronique
Soutenue le 27-11-2009
Thèse soutenue


Eric Kerhervé a été président de jury des 9 thèses suivantes :

Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 18-10-2019
Thèse soutenue
Electronique
Soutenue le 13-12-2018
Thèse soutenue
STIC (sciences et technologies de l'information et de la communication) - Cergy
Soutenue le 10-03-2015
Thèse soutenue
Electronique
Soutenue le 27-06-2014
Thèse soutenue

Eric Kerhervé a été rapporteur des 17 thèses suivantes :

Électronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 05-11-2020
Thèse soutenue
Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 14-11-2019
Thèse soutenue
Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 18-10-2019
Thèse soutenue
Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Soutenue le 17-12-2018
Thèse soutenue
Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 30-06-2017
Thèse soutenue


Eric Kerhervé a été membre de jury des 5 thèses suivantes :