Raymond Quéré
Mots clés
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Amplificateurs de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Transistors bipolaires
Modèles mathématiques
Transistors à effet de champ
GaN
Transistors
Méthodes de simulation
Effets de pièges
Impédance thermique
Systèmes de télécommunications à large bande
Modélisation électrothermique
HEMT
Modélisation
Amplificateur de puissance
Transistors bipolaires à hétérojonctions
Conception assistée par ordinateur
Fiabilité
GaN HEMT