Thèse soutenue

Substrats et dispositifs avancés sur germanium-sur-isolant (GeOI) : caractérisation, modélisation et simulation

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Auteur / Autrice : William Van den Daele
Direction : Sorin CristoloveanuCyrille Le Royer
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
Date : Soutenance en 2010
Etablissement(s) : Grenoble INPG
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....) - Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (2007-....)
Jury : Président / Présidente : Gérard Ghibaudo
Examinateurs / Examinatrices : Emmanuel Dubois
Rapporteur / Rapporteuse : Jean-Pierre Colinge, Matteo Valenza

Résumé

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La miniaturisation des transistors MOS à effet de champ (MOSFET) sur substrat silicium massif arrive à ses limites physiques. Afin de tenir les spécifications de l'International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), plusieurs solutions se profilent, dont l'utilisation de matériaux semiconducteurs alternatifs à forte mobilité tels que le germanium (Ge). L'utilisation du GeOI (Germanium-sur-Isolant) permet de cumuler les avantages de contrôles électrostatiques de la technologie SOI avec les propriétés de transport du Ge. Cette étude propose une revue des propriétés des substrats et de dispositifs pMOSFETs sur GeOI. La première partie présente les performances électriques des substrats GeOI par la méthode pseudo-MOSFET au travers de caractérisations et de simulations TCAD. Les deux parties suivantes portent sur l'étude des pMOSFETs à grille TiN/HfO2. Nous appréhendons les phénomènes de fuites observées au drain des pMOSFETs par des mesures de modélisations dépendantes de la température. Nous nous intéresserons finalement à la forte mobilité des trous dans les dispositifs pMOSFETs sur GeOI afin de comprendre les origines physiques des phénomènes limitant le transport