1t-Dram  3d  Annealing  Architecture circuit  BEOL intermédiaire  Back-Bias  Basse température  Basse tension  Bimos  Box minces  Box à forte conductivité thermique  Bruit  Bruit basse fréquence  Bruit basse fréquence  CMOS  CMOS avancé  Canal court  Capacité MOS  Capacité quasi-statique  Capteur d’image CMOS  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation  Caractérisation electrique  Caractérisation physico-chimique  Caractérisation électrique  Caractérisations électriques  Cellule mémoire à un transistor.  Celo  Characterization  Circuit integre  Circuit mosfet  Circuits intégrés tridimensionnels  Cmos  Cmos avancé  Collage  Collage métallique des plaques  Collage par adhésion moléculaire  Commutation abrupte  Conception circuit  Contraintes  Couche mince  Couplage  Couplage électrique  Courant fuite  Defauts  Dhs gaalas  Diode couche intrinseque  Diode virtuelle  Diode à grille  Diodes à semiconducteur  Dislocations  Dispositifs avancés microélectronique  Dispositifs à modulation de bandes  Dopage électrostatique  Décharges électriques  Décharges électrostatiques  Défauts  Défects  Détérioration  EDMOS  ESD  Effet bipolaire parasite  Effet tunnel  Effet tunnel bande à bande  Effets de bords  Effets de canal court  Effets de couplage  Effets des rayonnements  Electronique  Ellipsométrie  Esd  Etat condensé  Evaluation performance  FDSOI  Fabrication  Fabrication microélectronique  Fd-Soi  Fdsoi  Fiabilité  Film mince  Film ultra-Fin  Films minces  FinFET  Formation défaut  Ftir-mir  Gaas  Gain bipolaire  Grille arrière  Hall, Effet  Hbt  Hg-fet  IO  Implantation hydrogène  InGaAs  Induction électrostatique  Inp  Intelligence artificielle  Interfaces  Intégration 3D  Intégration 3D séquentielle  Intégration des procédés de fabrication  MOS  MOS complémentaires  MOS haute tension  MOSFET  MOSFET  Magnétorésistance  Matériau SOI  Memoires non-volatiles  Microelectronic fabrication  Microélectronique  Mobilité  Mocvd  Modeling  Modulation des bandes  Modèle Monte Carlo  Modèles mathématiques  Monte Carlo cinétique  Monte Carlo multi-subband  Monte-Carlo, Méthode de  Mosfet  Méthodes multigrilles  Na  Nanofils SiGe  Nanoparticules d’or  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nc  Nettoyage hydrophile  Neuromorphique  Neurone impulsionnel  Omega FET  Orientation en crystal  Oxide  Oxyde  Oxyde enterré  PDSOI  Pente sous le seuil  Photodiodes  Physique  Pompage de charge  Propriétés mécaniques et thermiques  Protection  Protections  Protections ESD  Pseudo MOSFET  Pseudo-MOSFET  Pseudo-mosfet  Puissance faible  Puissance ultra basse  Quantification en raison de la taille  Quantum effects  Recroissance épitaxiale  Recuit  Recuit des métaux  Réseaux neuronaux  Rétroaction  SOI  SOI FinFET  SOI FinFET sans jonctions  SOI fortement dopé  SOI substrates  Sciences appliquees  Sciences et techniques  Semiconducteur sur isolant  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  Seuil tension  Si  SiGe  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium sur isolant  Silicium sur isolant complétement déplété  Silicium sur isolant Silicium-Sur-Isolant  Silicium-sur-isolant  Siliciure  Siliciures  Silicon on insulator technology  Simox  Simulation  Simulation par ordinateur  Smart-Cut®  Soa  Soi  Split C-V  Split-CV  TCAD  TLP  Tcad  Technologie silicium sur isolant  Transistor  Transistor mos  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors en couches minces  Transistors à effet de champ  Tunnel FET  Unibond®  Électrostatique  

Sorin Cristoloveanu a dirigé les 56 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 28-10-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-07-2012
Thèse soutenue

Microélectronique
Soutenue en 2005
Thèse soutenue

Microélectronique
Soutenue en 1999
Thèse soutenue

Physique des composants à semiconducteurs
Soutenue en 1998
Thèse soutenue


Sorin Cristoloveanu a été président de jury de la thèse suivante :


Sorin Cristoloveanu a été rapporteur de la thèse suivante :


Sorin Cristoloveanu a été membre de jury des 2 thèses suivantes :