Thèse soutenue

Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium
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Auteur / Autrice : Rémi Comyn
Direction : Vincent AimezYvon Cordier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance le 08/12/2016
Etablissement(s) : Université Côte d'Azur (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies de l'information et de la communication (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes)
Partenaire(s) de recherche : établissement de préparation : Université de Nice (1965-2019)
Laboratoire : Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes)
Jury : Président / Présidente : Richard Arès
Examinateurs / Examinatrices : Vincent Aimez, Yvon Cordier, Richard Arès, Eva Monroy, Frédéric Morancho, Sylvain L. Delage, Peter Frijlink, Hassan Maher
Rapporteurs / Rapporteuses : Eva Monroy, Frédéric Morancho

Résumé

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L’intégration monolithique hétérogène de composants III-N sur silicium (Si) offre de nombreuses possibilités en termes d’applications. Cependant, gérer l’hétéroépitaxie de matériaux à paramètres de maille et coefficients de dilatation très différents, tout en évitant les contaminations, et concilier des températures optimales de procédé parfois très éloignées requière inévitablement certains compromis. Dans ce contexte, nous avons cherché à intégrer des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Si par épitaxie sous jets moléculaires (EJM) en vue de réaliser des circuits monolithiques GaN sur CMOS Si.