Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium
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Auteur / Autrice : | Rémi Comyn |
Direction : | Vincent Aimez, Yvon Cordier |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance le 08/12/2016 |
Etablissement(s) : | Université Côte d'Azur (ComUE) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences et technologies de l'information et de la communication (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes) |
Partenaire(s) de recherche : | établissement de préparation : Université de Nice (1965-2019) |
Laboratoire : Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes) | |
Jury : | Président / Présidente : Richard Arès |
Examinateurs / Examinatrices : Vincent Aimez, Yvon Cordier, Richard Arès, Eva Monroy, Frédéric Morancho, Sylvain L. Delage, Peter Frijlink, Hassan Maher | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Eva Monroy, Frédéric Morancho |
Résumé
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L’intégration monolithique hétérogène de composants III-N sur silicium (Si) offre de nombreuses possibilités en termes d’applications. Cependant, gérer l’hétéroépitaxie de matériaux à paramètres de maille et coefficients de dilatation très différents, tout en évitant les contaminations, et concilier des températures optimales de procédé parfois très éloignées requière inévitablement certains compromis. Dans ce contexte, nous avons cherché à intégrer des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Si par épitaxie sous jets moléculaires (EJM) en vue de réaliser des circuits monolithiques GaN sur CMOS Si.