Frédéric Morancho
Frédéric Morancho a rédigé la thèse suivante :
Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances
par Frédéric Morancho sous la direction de Pierre Rossel - Toulouse 3
Électronique
Soutenue en 1996
Frédéric Morancho a dirigé les 10 thèses suivantes :
Conception et réalisation d'un interrupteur bidirectionnel silicium pour des applications secteur : le transistor BipAC
par Hiba Rizk sous la direction de Abdelhakim Bourennane et de Frédéric Morancho . - Toulouse 3
Micro et nanosystèmes
Soutenue le 04-05-2017
Conception et réalisation de composants de puissance à superjonction et à tranchées profondes pour des applications 600 V et 1200 V
par Sylvain Noblecourt sous la direction de Frédéric Morancho et de Josiane Tasselli . - Toulouse 3
Génie électrique
Soutenue le 01-12-2016
Optimization of the elaboration of insulating layers for the gate structures and the passivation of MIS-HEMT transistors on GaN
par Richard Meunier sous la direction de Frédéric Morancho et de Alphonse Torres . - Toulouse 3
Microélectronique
Soutenue le 22-06-2016
Nouveaux concepts de transistors de puissance à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN)
par Saleem Hamady sous la direction de Frédéric Morancho et de Bilal Beydoun . - Toulouse 3
Composants et systèmes de gestion de l'énergie
Soutenue en 2014
Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistor MOS de puissance en Nitrure de Gallium
par Elias Al Alam sous la direction de Frédéric Morancho et de Alain Cazarré . - Toulouse 3
Micro-nanoélectronique
Soutenue en 2011
Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")
par Saâdia Hniki sous la direction de Frédéric Morancho - Toulouse 3
Microélectronique et microsystèmes
Soutenue en 2010
Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance
par Gaëtan Toulon sous la direction de Frédéric Morancho - Toulouse 3
Micro-nanoélectronique
Soutenue en 2010
Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance
par Olivier Bon sous la direction de Frédéric Morancho - Toulouse 3
Microélectronique et microsystèmes
Soutenue en 2008
Conception d'une nouvelle génération de transistor FLYMOS vertical de puissance dépassant la limite conventionnelle du silicium
par Yann Weber sous la direction de Frédéric Morancho et de Jean-Marc Reynes . - Toulouse 3
Microélectronique
Soutenue en 2008
Étude des propriétés physiques et nouvelle modélisation SPICE des transistors FLIMOS de puissance
par Abdelghafour Galadi sous la direction de Frédéric Morancho et de Moha M'Rabet Hassani . - Toulouse 3
Micro-électronique
Soutenue en 2008
Frédéric Morancho a été président de jury des 6 thèses suivantes :
Le silicium poreux pour les périphéries TRIAC
par Angélique Fèvre sous la direction de Gaël Gautier et de Samuel Menard . - Tours
Electronique
Soutenue le 09-03-2017
Etude des mécanismes de formation des contacts ohmiques pour des transistors de puissance sur Nitrure de Gallium
par Dimitri Bertrand sous la direction de Elisabeth Blanquet - Grenoble Alpes
Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie
Soutenue le 12-12-2016
Évaluation des mécanismes de défaillance et de la fiabilité d’une nouvelle terminaison haute tension : approche expérimentale et modélisation associée
par Fedia Baccar El Boubkari sous la direction de Eric Woirgard et de Loïc Théolier . - Bordeaux
Electronique
Soutenue le 01-12-2015
Convertisseurs DC/DC à base de HFETs GaN pour applications spatiales
par Guillaume Delamare sous la direction de Henri Schneider - Toulouse, INPT
Génie électrique
Soutenue le 16-11-2015
Convertisseurs continu-continu non isolés à haut rapport de conversion pour piles à combustible et électrolyseurs : apport des composants GaN
par Nicolas Videau sous la direction de Thierry Meynard et de Guillaume Fontès . - Toulouse, INPT
Génie électrique
Soutenue le 05-05-2014
Contribution à l’étude des assemblages et connexions nécessaires à la réalisation d’un module de puissance haute température à base de jfet en carbure de silicium (SiC)
par Wissam Sabbah sous la direction de Eric Woirgard , Cyril Buttay et de Stéphane Azzopardi . - Bordeaux 1
Électronique
Soutenue le 25-06-2013
Frédéric Morancho a été rapporteur des 9 thèses suivantes :
Contribution à l’étude des modes de dégradation des transistors HEMT à base de GaN pour les applications de puissance
par Malika Elharizi sous la direction de Zoubir Khatir - Paris Saclay
Génie électrique
Soutenue le 21-11-2018
Etude de la fiabilité de composants GaN en conversion d'énergie
par Omar Chihani sous la direction de Eric Woirgard et de Loïc Théolier . - Bordeaux
Electronique
Soutenue le 27-09-2018
Characterization, modeling and aging behavior of GaN power transistors
par Fadi Nader Fouad Zaki sous la direction de Zoubir Khatir - Paris Saclay
Génie électrique
Soutenue le 29-01-2018
Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si
par Georgio El Zammar sous la direction de Daniel Alquier et de Frédéric Cayrel . - Tours
Electronique
Soutenue le 19-05-2017
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium
par Rémi Comyn sous la direction de Vincent Aimez et de Yvon Cordier . - Côte d'Azur
Physique
Soutenue le 08-12-2016
Intégration technologique alternative pour l'élaboration de modules électroniques de puissance
par Bastien Letowski sous la direction de Jean-Christophe Crebier - Grenoble Alpes
Génie électrique
Soutenue le 25-11-2016
Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator)
par Antoine Litty sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Sylvie Ortolland . - Grenoble Alpes
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 11-01-2016
Développement de briques technologiques pour la réalisation de diodes schottky sur nitrure de gallium
par Olivier Menard sous la direction de Daniel Alquier - Tours
Electronique
Soutenue le 25-11-2010
Contribution à l'étude des mécanismes de défaillances de l'IGBT sous régimes de fortes contraintes électriques et thermiques
par Adel Benmansour sous la direction de Eric Woirgard - Bordeaux 1
Electronique
Soutenue le 18-12-2008
Frédéric Morancho a été membre de jury de la thèse suivante :
Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique
par Aurélien Lardeau-Falcy sous la direction de Joël Eymery - Grenoble Alpes
Physique des matériaux
Soutenue le 13-07-2018
