Yvon Cordier
Yvon Cordier a rédigé la thèse suivante :
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs
par Yvon Cordier sous la direction de Alain Cappy - Lille 1
Électronique
Soutenue en 1992
Yvon Cordier a dirigé les 12 thèses suivantes :
Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN
par Nadia El Bondry sous la direction de Yvon Cordier - Université Côte d'Azur
Physique
Soutenue le 08-12-2020
Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN
par Soumaya Latrach sous la direction de Yvon Cordier et de Hassen Maaref . - Université Côte d'Azur (ComUE)
Physique
Soutenue le 19-12-2018
Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III
par Roy Dagher sous la direction de Yvon Cordier - Université Côte d'Azur (ComUE)
Physique
Soutenue le 22-09-2017
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium
par Rémi Comyn sous la direction de Vincent Aimez et de Yvon Cordier . - Université Côte d'Azur (ComUE)
Physique
Soutenue le 08-12-2016
Étude de l’incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur
par Ionela Roxana Arvinte sous la direction de Marcin Zielinski et de Yvon Cordier . - Université Côte d'Azur (ComUE)
Physique des matériaux
Soutenue le 08-11-2016
Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence
par Paul Leclaire sous la direction de Didier Théron , Marc Faucher et de Yvon Cordier . - Lille 1
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Soutenue le 10-11-2015
Croissance de GaN sur silicium micro- et nano-structuré
par Guillaume Gommé sous la direction de Yvon Cordier et de Fabrice Semond . - Nice
Physique
Soutenue le 17-12-2014
Développement de nouvelles hétérostructures HEMTs à base de nitrure de gallium pour des applications de puissance en gamme d'ondes millimétriques
par Stéphanie Rennesson sous la direction de Yvon Cordier - Nice
Physique
Soutenue le 13-12-2013
Étude de la fabrication de nouveaux composants à base de Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de puissance
par Martin Jouk sous la direction de Yvon Cordier - Nice
Physique
Soutenue en 2012
GaN based structures on patterned silicon substrate : stress and strain analysis
par Tasnia Hossain sous la direction de Yvon Cordier - Nice
Physique
Soutenue en 2012
Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium
par Nicolas Baron sous la direction de Yvon Cordier - Nice
Physique
Soutenue en 2009
Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons
par Sylvain Joblot sous la direction de Yvon Cordier - Nice
Physique
Soutenue en 2007
Yvon Cordier a été président de jury des 2 thèses suivantes :
Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si
par Georgio El Zammar sous la direction de Daniel Alquier et de Frédéric Cayrel . - Tours
Electronique
Soutenue le 19-05-2017
Développement de capteurs THz utilisant l'hétérostructure AIGaN/GaN
par Hélène Spisser sous la direction de Frédéric Aniel , François Boone et de Hassan Maher . - Université Paris-Saclay (ComUE)
Electronique et optoélectronique, nano- et microtechnologies
Soutenue le 14-02-2017
Yvon Cordier a été rapporteur des 11 thèses suivantes :
Epitaxie de couches d'alliages quaternaires à base d'InAIGaN pour les transistors de haute performance
par Mrad Mrad sous la direction de Guy Feuillet et de Matthew Charles . - Université Grenoble Alpes
Physique des matériaux
Soutenue le 07-07-2020
Diodes Schottky en diamant un nouveau pas vers les applications pour l'électronique de puissance
par Juliette Letellier sous la direction de Etienne Gheeraert - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 18-12-2019
Contribution à la compréhension et à la réduction de l'effet de current collapse dans les HEMTs et diodes à base d'hétérojonction AlGaN/GaN sur substrat Si pour des applications de puissance
par Thomas Lorin sous la direction de Gérard Ghibaudo et de William Vandendaele . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 12-09-2019
Substrats innovants pour des composants de puissance à base de GaN
par Anthony Cibie sous la direction de Léa Di Cioccio - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 08-03-2019
Dispositifs infrarouges à cascade quantique à base de semiconducteurs GaN/AlGaN et ZnO/ZnMgO
par Arnaud Jollivet sous la direction de François Julien - Université Paris-Saclay (ComUE)
Physique
Soutenue le 18-02-2019
Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité
par Tiphaine Cerba sous la direction de Thierry Baron - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 24-10-2018
Development and understanding of III-N layers for the improvement of high power transistors
par Romain Bouveyron sous la direction de Jean-Michel Hartmann - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 31-10-2017
Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d’éléments III du proche infrarouge au térahertz
par Patrick Quach sous la direction de François Julien - Université Paris-Saclay (ComUE)
Physique
Soutenue le 27-06-2016
Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension
par Thi Dak Ha Nguyen sous la direction de Jean-Luc Pelouard - Paris 11
Electronique
Soutenue le 19-12-2013
Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence
par Hoang Nguyen Van sous la direction de Roland Teissier et de Mohammed Zaknoune . - Montpellier 2
Electronique
Soutenue le 24-07-2012
Développement de briques technologiques pour la réalisation de diodes schottky sur nitrure de gallium
par Olivier Menard sous la direction de Daniel Alquier - Tours
Electronique
Soutenue le 25-11-2010
Yvon Cordier a été membre de jury des 7 thèses suivantes :
Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off "
par Chaymaa Haloui sous la direction de Frédéric Morancho , Karine Isoird et de Mathieu Gavelle . - Toulouse 3
MicroNano Systèmes
Soutenue le 21-07-2021
Nouveaux composants électroniques à base du matériau AlN pour les futures applications de puissance
par Idriss Abid sous la direction de Farid Medjdoub - Université de Lille (2018-2021)
Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 12-07-2021
Nouveau revêtement de protection pour composants résistifs à couches minces
par Catheline Cazako sous la direction de Karim Inal - Paris Sciences et Lettres (ComUE)
Mécanique numérique et Matériaux
Soutenue le 03-12-2019
Mastering the O-diamond/Al2O3 interface for unipolar boron doped diamond field effect transistor
par Thanh-Toan Pham sous la direction de Julien Pernot et de Nicolas Rouger . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nano électronique et nano technologies
Soutenue le 12-04-2017
Etude micro et nanostructurale des défaillances d'architectures microélectroniques en environnement humide
par Kokou Adokanou sous la direction de Karim Inal et de Pierre Montmitonnet . - Paris Sciences et Lettres (ComUE)
Mécanique numérique et Matériaux
Soutenue le 10-03-2017
Implantation ionique dans le GAN pour la réalisation de zones dopées et localisées, de type P
par Wahid Khalfaoui sous la direction de Daniel Alquier et de Frédéric Cayrel . - Tours
Electronique
Soutenue le 11-07-2016
Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium
par Azza Chettaoui sous la direction de Guillaume Saint-Girons - Ecully, Ecole centrale de Lyon
Matériaux pour la micro- et l'opto-électronique
Soutenue le 22-03-2013
