Intégration des effets stochastiques dans l'optimisation des process lithographie immersion pour les nœuds avancés 28nm et au-delà.

Integration of stochastic effects in the optimization of immersion lithography processes for advanced 28nm nodes and beyond.

• Auteur / Autrice : Emilie Eustache
• Direction : Raluca Tiron
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Nano électronique et Nano technologies
• Date : Inscription en doctorat le 14/10/2024
• Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI)

Mots clés

Mots clés libres

Stochastiques

Lithographie immersion

Résine négative

Stochastic

Immersion lithography

Negative tone resist

Résumé

L'objectif de cette thèse est de comprendre l'évolution des effets stochastiques entre le 28nm (lithographie 193nm immersion & Positive Tone Developer Resist) et la nouvelle ère du 18nm et plus tard 10nm (lithographie 193 immersion, multipatterning & Negative Tone Developer Resist) L'objectif de ce travail de thèse est multiple : S'appuyer sur les solutions de métrologie mise en place par E.Soltani lors de sa thèse Explorer l'évaluation sur des structures plus complexes et multidimensionnelles (les HotSpots) Sur cette base définir un plan d'investigation des causes premières possibles des effets stochastiques : Effets process / photoresist. Effets de contraste d'image. Effets photomasques. …. Pour cela la doctorante aura aussi maintenant à disposition des outils de simulation (S-Litho SYNOPSYS) lui permettant d'étudier plus en détail les causes connues à ce jour et explorer aussi de nouvelles voies.

The objective of this thesis is to understand the evolution of stochastics effects between 28nm (193nm immersion lithography & Positive Tone Developer Resist) and the new era of 18nm and later 10nm (193 immersion lithography, multipatterning & Negative Tone Developer Resist) The objective of this thesis work is multiple: Relying on the metrology solutions implemented by E.Soltani during her PhD Explore evaluation on more complex and multidimensional structures (HotSpots) On this basis, define a plan for investigating the possible root causes of stochastic effects: Process / photoresist effects. Image contrast effects. Photomask effects. . To this end, the doctoral student will also now have at her disposal simulation tools (S-Litho, SYNOPSYS) allowing her to study in more detail the causes known to date and also explore new avenues.