Chambres à vapeur ultra-minces en silicium embarquées pour l’atténuation de points chauds sur les dispositifs de la microélectronique
Auteur / Autrice : | Quentin Struss |
Direction : | Luc G. Fréchette, Abdelkader Souifi |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique, micro et nanoélectronique, optique et laser |
Date : | Soutenance le 18/12/2020 |
Etablissement(s) : | Lyon en cotutelle avec Université de Sherbrooke (Québec, Canada) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | établissement opérateur d'inscription : Institut national des sciences appliquées (Lyon ; 1957-....) |
Laboratoire : INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR5270 (Rhône) - Institut des Nanotechnologies de Lyon / INL - LN2 - Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] | |
Jury : | Président / Présidente : Aida Todri-Sanial |
Examinateurs / Examinatrices : Luc G. Fréchette, Abdelkader Souifi, Aida Todri-Sanial, Yvan Avenas, Irina Martin Graur | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Aida Todri-Sanial, Yvan Avenas |
Mots clés
Résumé
La gestion thermique et plus particulièrement l’atténuation des points chauds est devenue l’un des aspects les plus critiques dans la conception de circuits microélectroniques, notamment dans le cas d’applications nomades compactes. Le travail présenté dans ce manuscrit concerne la conception, la fabrication et la caractérisation d’une chambre à vapeur ultramince en silicium composée d’un réseau capillaire à base de micropiliers. Cette dernière est conçue pour être directement embarquée en face arrière d’une puce CMOS dans le but de réduire l’intensité des points chauds. Une chambre à vapeur est un dispositif de refroidissement passif à changement de phase, dont les cycles d’évaporation et de condensation permettent un transfert de chaleur beaucoup plus performant que les répartiteurs de chaleur traditionnels. Le potentiel de miniaturisation d’un tel dispositif a été étudié à l’aide de modèles analytiques et numériques et permet d’envisager des épaisseurs inférieures à 600 µm dans le cas de puces de 1 x 1 cm2 dissipant des puissances jusqu’à 10 W. Un procédé de fabrication compatible avec la présence d’un circuit CMOS sur la face avant a été développé et permet la fabrication de dispositifs à partir de deux plaques de silicium structurés et assemblés à l’aide d’un procédé de collage direct à basse température. Le fonctionnement du dispositif est vérifié expérimentalement et une estimation des performances optimales, réalisée à l’aide d’un modèle numérique, montre des performances supérieures à celles d’un répartiteur de chaleur en cuivre de même dimensions. Une approche innovante de remplissage et de scellement collective à l’échelle d’un wafer par collage direct Au-Au à température ambiante a également été développée et permet, pour la première fois, la fabrication de chambre à vapeur en silicium sans avoir recours à un trou de remplissage.