Thèse soutenue

Etude et corrélation de l’influence des paramètres électriques sur la compatibilité électromagnétique

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Auteur / Autrice : Nicolas Baptistat
Direction : Geneviève DuchampTristan DuboisKamel Abouda
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique
Date : Soutenance le 13/11/2020
Etablissement(s) : Bordeaux
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
Jury : Président / Présidente : Alain Reineix
Examinateurs / Examinatrices : Geneviève Duchamp, Tristan Dubois, Kamel Abouda, Alain Reineix, Sonia Ben Dhia, Moncef Kadi
Rapporteurs / Rapporteuses : Sonia Ben Dhia, Moncef Kadi

Résumé

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Les progrès des techniques de fabrication des systèmes électroniques permettent de réduire considérablement la taille des composants tout en augmentant les performances des circuits intégrés d'un point de vue rapidité ainsi que de consommation pour n'en citer que quelques-unes. Toutefois, cette révolution technologique génère davantage de problèmes de compatibilité électromagnétique (CEM). Pour pallier cela, les ingénieurs qui conçoivent les circuits électroniques réalisent différents tests de simulations et mesures CEM.Cependant, ces tests peuvent paraître insuffisants du fait qu'ils ne tiennent pas compte des variabilités PVT (Process Voltage Temperature) pouvant induire des variations intolérables des caractéristiques CEM des circuits électroniques produits.Les travaux de cette thèse ont pour but de montrer tout l'intérêt de prendre en considération les variations des paramètres électriques, de température et de processus de fabrication, aussi bien pendant la phase de simulation CEM que pendant la phase de mesures CEM, et de proposer des solutions facilement implémentables pour les entreprises de conception de circuits électroniques.Pour ce faire, ces travaux explorent en particulier l'impact des variations des paramètres caractéristiques des différentes formes d'ondes en sortie de cellules de commutation sur leur spectre fréquentiel. Ces cellules sont construites autour d'un transistor à effet de champ, principal acteur des problèmes CEM.