Croissance, report, soulèvement (epitaxial lift-off) et fabrication de cellules solaires InGaAs permettant le recyclage du substrat d'InP pour le photovoltaïque concentré (CPV)
Auteur / Autrice : | François Chancerel |
Direction : | Michel Gendry |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Matériaux |
Date : | Soutenance le 15/11/2018 |
Etablissement(s) : | Lyon |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Matériaux de Lyon (Villeurbanne ; 1991-....) |
Partenaire(s) de recherche : | établissement opérateur d'inscription : École Centrale de Lyon (1857-....) |
Laboratoire : Institut des Nanotechnologies de Lyon (Ecully, Rhône) | |
Jury : | Président / Présidente : Stéphane Collin |
Examinateurs / Examinatrices : Michel Gendry, Vincent Aimez, Simon Fafard | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Chantal Fontaine, Richard Arès |
Mots clés
Résumé
Cette thèse de doctorat traite de la mise en œuvre du procédé de soulèvement épitaxial (ou ELO pour epitaxial lift-off) à partir d'un substrat d'InP permettant le détachement des couches actives et le recyclage du substrat afin de rendre économiquement compétitive la fabrication de cellules solaires multi-jonctions pour le photovoltaïque concentré. Ce procédé, qui consiste à sous-graver sélectivement une couche sacrificielle comprise entre le substrat et les couches actives, est bien connu et maîtrisé sur un substrat de GaAs avec l'utilisation d'une couche sacrificielle d'AlAs d'épaisseur voisine de 5 nm, ce qui n'est pas possible sur un substrat d'InP en raison du fort désaccord de maille cristalline existant entre l'AlAs et l'InP. Pour l'adapter à un substrat d'InP, le développement d'une couche sacrificielle spécifique basée sur un super-réseau AlAs/InAlAs a été réalisé, ce qui permet de contourner les problématiques liées au désaccord de maille et à la croissance de matériaux contraints. Après optimisation des conditions de croissance de ce super-réseau, les épaisseurs atteintes et donc les vitesses de sous-gravure obtenues en utilisant ce type de couche sacrificielle ont satisfait aux exigences du procédé ELO. Ensuite, le report et le soulèvement de structures actives de cellules solaires InGaAs en couches minces cristallines ont été développés. Les cellules solaires ainsi fabriquées ont montré des performances semblables à celles réalisées par épitaxie standard sur un substrat d'InP, voire meilleures sous concentration en raison d'effets de confinement optique. Finalement, le recyclage du substrat d'InP réalisé avec un procédé utilisant seulement deux étapes de nettoyage par voies chimiques humides, a permis de produire des surfaces d'InP de qualité suffisante pour réaliser une reprise d'épitaxie satisfaisante.