Richard Arès
Mots clés
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Nitrure de gallium (GaN)
Transistor à haute mobilité électronique (HEMT)
Circuits CMOS
Épitaxie sous jets moléculaires (MBE)
Co-intégration
Nitrure de gallium
Transistors
MOS complémentaires
Épitaxie par faisceaux moléculaires
Cellule solaire
Semiconducteurs III-V
InP
Epitaxial lift-off
Super-réseau contraint
Sous-gravure
Couche mince cristalline
Épitaxie
Semiconducteurs
Énergie solaire