Thèse soutenue

Modélisation d'un plasma de silane-hydrogène avec dynamique de nanoparticules pour applications photovoltaïques.
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Auteur / Autrice : Jean-Maxime Orlac'h
Direction : Pere Roca i CabarrocasVincent GiovangigliTatiana Novikova
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance le 02/05/2017
Etablissement(s) : Université Paris-Saclay (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Interfaces : matériaux, systèmes, usages (Palaiseau, Essonne ; 2015-....)
Partenaire(s) de recherche : établissement opérateur d'inscription : École polytechnique (Palaiseau, Essonne ; 1795-....)
Laboratoire : Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces (Palaiseau, Essonne) - Centre de mathématiques appliquées (Palaiseau, Essonne)
Jury : Président / Présidente : Laïfa Boufendi
Examinateurs / Examinatrices : Vincent Giovangigli, Tatiana Novikova, Khaled Hassouni, Stéphane Pasquiers
Rapporteurs / Rapporteuses : Thierry Magin, Steven Girshick

Résumé

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Cette thèse porte sur la modélisation de la dynamique des nanoparticules de silicium dans les plasmas de silane à couplage capacitif pour applications photovoltaïques.Une dérivation complète des équations fluides pour un plasma bi-température réactif polyatomique a été effectuée dans le cadre de la théorie cinétique des gaz. A partir d'une analyse asymptotique de l'équation de Boltzmann, la méthode de Chapman-Enskog a permis d'obtenir les équations d'ordre zéro en le nombre de Knudsen, qui correspondent au régime "Euler", et les équations d'ordre un qui correspondent au régime "Navier-Stokes-Fourier". La méthode fournit également une expression des flux de transport en termes des gradients des variables macroscopiques, ainsi que les coefficients de transports associés.Le modèle de plasma fluide multi-espèces ainsi dérivé a été simplifié et implémenté numériquement en vue de modéliser un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma utilisé pour le dépôt de couches minces de silicium. Un logiciel a été écrit en FORTRAN et validé numériquement à l'aide d'un "benchmark" issu de la littérature. Il a ensuite été mis en oeuvre dans les conditions typiques de l'épitaxie par plasma basse température. Les densités des principales espèces sont en accord avec les données expérimentales de la littérature. L'influence de la chimie du silane sur la tension d'auto-polarisation a également été étudiée, grâce à l'utilisation de formes d'ondes asymétriques sur mesure.Le modèle a ensuite été enrichi à l'aide d'un modèle sectionnel en taille et en charges pour les nanoparticules. La comparaison avec les résultats expérimentaux existants a permis d'estimer le coefficient d’accommodation du silane sur les nanoparticules. Les résultats obtenus confirment le rôle prépondérant des ions positifs dans le processus de dépôt.Le modèle développé dans cette thèse ouvre ainsi la voie à une étude systématique de l’évolution du plasma en fonction des conditions de dépôt et de l'influence des nanoparticules sur les propriétés physico-chimiques du plasma.