Etude des interactions plasma/surface pour la compréhension de la croissance de couches minces SiCN : H et leur interface film/substrat : répercussions sur leurs propriétés
Auteur / Autrice : | Beatrice Plujat |
Direction : | Laurent Thomas, Sébastien Quoizola |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences pour l'ingénieur |
Date : | Soutenance le 24/02/2017 |
Etablissement(s) : | Perpignan |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Énergie environnement (Perpignan ; 1999-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire Procédés, matériaux et énergie solaire (Perpignan) |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Patrice Raynaud, Stéphanie Roualdes, Agnès Granier, Eric Tomasella, Antoine Goullet, Robert Hugon |
Rapporteurs / Rapporteuses : Patrice Raynaud, Stéphanie Roualdes |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
Les matériaux SiNOC:H en couches minces, de par leur flexibilité stœchiométrique, présentent une vaste gamme de propriétés et sont aujourd'hui utilisés industriellement dans de nombreuses applications : microélectronique, photovoltaïque, mécanique, etc. Nous avons ici choisi de nous intéresser plus particulièrement au carbonitrure de silicium hydrogéné SiCN:H déposé par PECVD micro-onde à partir du précurseur organosilicié liquide Tétraméthylsilane (TMS). Le but est de proposer une alternative à l'utilisation du gaz silane utilisé pour déposer ce matériau dans les procédés PECVD BF industriels tout en accroissant les vitesses de dépôt. Décomposition du TMS en phase plasma dans un mélange gazeux Ar/NH 3 /TMS et propriétés des couches minces déposées sont étudiées puis corrélées. Une attention particulière est portée aux premières étapes de croissance et à l'étude de l'interface film/substrat.