Caractérisation sécuritaire des OxRRAM

Secure characterization of OxRAM technology

• Auteur / Autrice : Alexis Krakovinsky
• Direction : Jean-Michel Portal
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences pour l'ingénieur. Micro et nanoélectronique
• Date : Soutenance le 15/12/2017
• Etablissement(s) : Aix-Marseille
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Marseille ; Toulon ; 2008-….)
• Jury : Président / Présidente : Pascal Masson
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Jean Coignus, Romain Wacquez, Marc Bocquet, Vincent Pouget
• Jury : Rapporteur / Rapporteuse : Giorgio Di Natale, Lorena Anghel

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microcontrôleurs

Systèmes informatiques -- Mesures de sûreté

Mémoires flash

Nanoélectronique

Mots clés libres

OxRRAM

Laser

Attaques thermiques

Simulations

Microcontrôleur

Effet photoélectrique

OxRAM

Laser

Thermal Attacks

Simulations

Microcontroller

Photoelectric effect

Résumé

Depuis les premières mémoires à semi-conducteurs, les mémoires intégrées sur les circuits électroniques ont beaucoup évolué. Celles-ci deviennent de plus en plus petites sans pour autant conserver moins de données. Cependant, la technologie mémoire non-volatile la plus répandue, la Flash, fait face à des problèmes de miniaturisation et de consommation. Plusieurs solutions alternatives ont donc émergé pour remplacer la Flash, ou pour être intégrées dans les objets connectés. Dans quelques années, des milliards d’appareils échangeront des données parfois personnelles qui ont donc besoin d’être sécurisées. La technologie Flash a déjà été l’objet de nombreuses études, permettant de la rendre sécurisée. Néanmoins, rien n’a été fait en ce qui concerne les technologies mémoires émergentes. Cette thèse propose donc d’évaluer le caractère sécuritaire d’une de ces technologies, particulièrement prometteuse par ses performances : l’OxRRAM. Le premier chapitre de ce manuscrit fera l’état de l’art des différents types de mémoires existant ainsi que des moyens utilisés pour évaluer la sécurité d’une technologie mémoire.Cela a permis de réaliser une première approche d’attaque sur un circuit embarquant de l’OxRRAM, mais les résultats montrent que des études plus fines sont nécessaires pour parvenir à comprendre de quoi il en retourne. Les chapitres 3 et 4 montrent les différentes vulnérabilités obtenues dans des cellules mémoires OxRRAM grâce à différent types d’attaques LASER.La source de ces vulnérabilités a également été identifiée, ce qui a permis par la suite de proposer des premières pistes de contre-mesures afin de protéger les circuits devant embarquer ce type de mémoires.

The first semi-conductor memories appeared in the 1960s. Since then,memories that are embedded on integrated circuits have evolved significantly. An important downsizing of these memories has been performed and they are still able to store more and more data. However, Flash technology-which is the most spread NVM technology nowadays - is facing scaling and power consumption issues. Numerous alternative solutions have emerged (emerging technologies) to replace Flash or to be integrated in smart objects, whose one of the main features is low power consumption. In the years to come, billions of devices connected to each other will exchange personal data that need to be secured. Flash technology has already been the subject of many studies, allowing it to be considered secured. Nevertheless, nothing has been performed yet on emerging NVM.This thesis proposes an evaluation of the secure character of one of these technologies, whose performances are promising: OxRAM. The first chapter of this manuscript deals with the state of the art of the different kind of existing memory technologies. It lists the different means that can be used to assess the security of a memory technology. This allowed to experiment attacks on an integrated circuit which embeds OxRAM. However, the results showed that more accurate studies are necessary to understand the observed effects. Chapters 3 and 4 will then demonstrate the vulnerabilities noticed on OxRAM memory cells through different LASER attacks. The source of these vulnerabilities has also been investigated, which allowed to propose tracks for countermeasures in order to protect integrated circuits that are to embed such memories.