Sur l'incorporation du thalium dans une matrice III-V : Préparation de GaTIAs et InTIAs par épitaxie par jets molélculaires

On thallium incorporation into III-V semiconductor matrix : preparation of GaTIAs and InTias by MBE

• Auteur / Autrice : Rémi Beneyton
• Direction : Guy Hollinger
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Dispositif de l'électronique intégré
• Date : Soutenance en 2004
• Etablissement(s) : Ecully, Ecole centrale de Lyon
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône ; 1995-2006)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Plasmas, Dynamique des

Semiconducteurs

Thallium -- Alliages

Mots clés libres

Ejm

Dds

Plasma

Rbs

Résumé

L'utilisation des longueurs d'onde infrarouges a pris un essor considérable depuis l'avènement des systèmes de télécommunication optique (proche infrarouge < 1. 6uM) et des applications militaires de détection (infrarouge moyen et lointain 3-12uM). De telles applications nécessitent d'intenses recherches dans le développement de nouveaux matériaux. Les alliages à base de thallium semble posséder un fort potentiel d'application. D'après les prévisions théoriques, ils permettraient de couvrire des gammes de longueurs d'onde allant de 1uM à 10uM en utilisant les filières III-V habituelles. Cependant peu de groupes ont réussi à incorporer du thallium et les quantités sont toujours très limitées. L'objectif générale de cette thèse était de repousser cette limite d'incorporation, soit par la compréhension de l'origine des limites d'incorporation dans INGAAS en comparant les systèmes GATLAS et INTLAS, soit par l'utilisation de cette nouvelle source plasma arsenic.

The use the infra-red wavelengths a taken a considerable rise since the advent of the systems of optical telecommunication (near infra-red < 1. 6uM) and of the military applications of detection (average and long infra-red 3-12uM). Such applications need intensive research in the development of new materials. Thallium alloys seems possess a strong potential of application. According to theoretical predictions, they would allow cover the wavelengths going from 1uM to 10uM by using usual dies III-V. However few groups have succeed in thallium incorporation and the amount are always very low (few percent). The general objective of this thesis was to push back this limit of incorporation, in first hand by a better understanding of the limitation of the thallium incorporation into a INGAAS matrix by comparing GATLAS and INTLAS system ? and in a second hand by the use of a new plasma arsenic source.