Recherche Avancée

Thèse soutenue

Réalisation par EPVOM d'hétérostructures à base d'antimoniures sur GaAs : application au photoconducteur à 4 micromètres

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Auteur / Autrice : Jean Podlecki
Direction : Georges Bougnot
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
Date : Soutenance en 1995
Etablissement(s) : Montpellier 2

Résumé

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Ce memoire a pour but la fabrication, par epvom, et l'etude de photoconducteurs a base de inas#1#-#xsb#x repondant aux longueurs d'onde superieures a 3 micrometres. Apres une etude bibliographique sur la photodetection infrarouge a base d'antimoniures, nous presentons l'evolution des techniques epvom au laboratoire, puis la croissance de couches de gasb, la realisation de photoconducteurs a inassb et enfin les premiers essais de croissance d'empilements ga(al)sb/gaalsb. La croissance de gasb a tout d'abord ete abordee afin de tester la qualite des couches et de montrer la faisabilite d'heterostructures sur gaas. L'homogeneite sur substrat de 2 pouces a ete plus particulierement etudiee sur gaas. Des photoconducteurs a inassb pour la photodetection infrarouge jusqu'a 5 micrometres ont ete realises et etudies ; il s'agit de la premiere realisation par epvom. De plus, ces dispositifs s'averent interessants pour la detection de co#2 a 4,3 micrometres. En vue de realiser des photodetecteurs infrarouge dans la gamme 8-12 micrometres a partir de transitions inter sous-bandes dans ga(al)sb/gaalsb, les premiers empilements de couches fines, type superreseau (10 nm), ou un peu plus epaisses, type reflecteur de bragg (100 nm), ont ete inities a base de ga(al)sb sur notre nouveau bati epvom