Recherche Avancée

Thèse soutenue

Effets d'interruptions de croissance sur les propriétés optiques des puits quantiques ultra minces GaInAs/InP

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Sandrine Juillaguet
Direction : Jean Camassel
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Milieux denses et matériaux
Date : Soutenance en 1992
Etablissement(s) : Montpellier 2

Résumé

FR

Les structures a puits quantiques et a multi-puits quantiques (mpqs) ultraminces utilisees notamment pour les circuits destines a la telecommunication par fibres optiques fonctionnant dans la gamme de 1. 38 m, necessitent un controle rigoureux de la morphologie des interfaces. Dans ce but, nous avons etudie une serie de mpqs gainas/inp (0<l<30 a) realisee par epitaxie en phase vapeur par decomposition d'organo-metalliques a basse pression (epvom-bp). Dans ces echantillons, des sequences d'interruption de croissance (sics) ont ete soigneusement menagees pour tenter d'optimiser les interfaces inp/gainas, d'une part, et gainas/inp, d'autre part. Nous montrons que: 1) la premiere sequence d'interruption de croissance induit, tres rapidement, la formation de une a deux monocouches (mcs) de type inp:as a l'interface. Ces ncs introduisent un puits d'interface, dont les proprietes dependent de la cinetique de substitution (as)p sur la surface de inp laissee libre pendant la sic. L'interdiffusion des especes chimiques pendant le reste de la croissance module ensuite son influence sur la reponse optique du dispositif. 2) la deuxieme sequence d'interruption, cote gainas/inp, joue correctement son role de stabilisateur de surface. On n'observe donc pas d'effet specifique a l'heterointerface superieure. 3) la croissance de gainas ne s'effectue pas sous forme strictement bidimensionnelle. Ceci entraine des effets de quantification d'epaisseur de l'ordre de plusieurs monocouches qui sont analysees en detail. Il apparait donc comme particulierement difficile, en epvom, de pouvoir obtenir des systemes reproductibles a une monocouche pres