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des thèses françaises
Sandrine Juillaguet
IdRefMots clés
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Carbure de silicium
SiC
Épitaxie
Dopage
4H-SiC
Spectroscopie Raman
Diamant
Électronique de puissance
Croissance cristalline
Carbure de Silicium
Micro-Raman
Photoluminescence
Sims
Semiconducteurs -- Dopage
Épitaxie CVD
Incorporation N et Al
Analyse SIMS et C-V
Polarité du matériau
Compétition de site
Couverture de surface