Sandrine Juillaguet
IdRefMots clés
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Carbure de silicium
SiC
Épitaxie
Dopage
Spectroscopie Raman
4H-SiC
Croissance cristalline
Carbure de Silicium
Micro-Raman
Photoluminescence
Sims
Électronique de puissance
Épitaxie CVD
Incorporation N et Al
Analyse SIMS et C-V
Polarité du matériau
Compétition de site
Couverture de surface
Paramètre de maille
Cartographie de l’espace réciproque (RSM)