Depots de nitrure de silicium amorphe obtenus par cvd assistee par plasma de decharge et par post-decharge dans un melange gazeux ar-sih::(4)-n::(2) : correlation entre les cinetiques reactionnelles en phase gazeuse et les caracteristiques des couches realisees

Amorphous silicon nitride films obtained by plasma enhanced c. V. D and postdischarge with ar-sih::(4)-n::(2) gaseous mixture. Correlation between reactive kinetical in gas phase and films characteristics

• Auteur / Autrice : Jean-Louis Jauberteau
• Direction : Alain Catherinot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Limoges

Résumé

La premiere partie est relative a l'elaboration de couches minces de nitrure de silicium par la technique cvd assistee par plasma de decharge en courant continu d'un melange gazeux reactif ar-sih::(4)-n::(2). L'evolution du systeme lorsque la concentration en azote continue dans le melange gazeux augmente est etudiee. La deuxieme partie, complementaire, presente une approche pour la comprehension de la reactivite du silane en post-decharge d'azote. Cette partie comporte, outre la presentation d'un autre type de reacteur de depot de nitrure de silicium, les propositions de processus reactionnels qui sont susceptibles d'apparaitre en plasme de decharge ar-sih::(4)-n::(2)