Contribution à l'étude de la technologie bipolaire STL : caractérisation, modélisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si
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Auteur / Autrice : | Denis Caillé |
Direction : | Yves Danto |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences |
Date : | Soutenance en 1988 |
Etablissement(s) : | Bordeaux 1 |
Partenaire(s) de recherche : | Autre partenaire : Université Bordeaux-I. Faculté des sciences (1971-2013) |
Jury : | Président / Présidente : Jean-Louis Aucouturier |
Examinateurs / Examinatrices : Yves Danto, Jean-Louis Aucouturier, Jean-Pierre Dom, Augustin Martinez, Maurice Depey, Philippe Roux |
Résumé
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Ce travail comporte une contribution à une étude plus large concernant le développement de circuits logiques VLSI bipolaires de type STL. Les performances des portes STL étant liées directement à celle des diodes Schottky, une étude détaillée des caractéristiques électriques des diodes TiW-Si et PtSi-Si a été entreprise en fonction de leur structure technologique et de leur dimension. Les modèles analytiques obtenus permettent de prévoir le comportement des portes en fonction des choix technologiques et des paramètres d'utilisation, comme la température. Une adaptation des modèles sur SPICE a permis de préciser les critères d'optimisation des portes STL.