Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant
Auteur / Autrice : | Thomas Benoist |
Direction : | Pierre Gentil, Sorin Cristoloveanu |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et technologie industrielles |
Date : | Soutenance le 27/04/2012 |
Etablissement(s) : | Grenoble |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique |
Laboratoire : Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique | |
Jury : | Président / Présidente : Sylvie Retailleau |
Examinateurs / Examinatrices : Pierre Gentil, Sorin Cristoloveanu, Pascal Fouillat, Christel Buj, Philippe Galy | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Bruno Allard, Olivier Bonnaud |
Mots clés
Résumé
Dans l’industrie de la micro-électronique, les efforts à fournir pour les nouvelles applications développées deviennent de plus en plus contraignants et difficiles à supporter en terme de coût. Les agressions provenant des décharges électrostatiques (ESD) générées par l’environnement direct sur les puces constituent un facteur important de la chute de rendement et donc des coûts. Ces difficultés s’ajoutent aux limites physiques plus strictes pour fabriquer des transistors lorsque l’on aborde des échelles nanométriques. La technologie Silicium sur Isolant (SOI) a été développée afin de contourner cette difficulté, mais l’intégration des protections ESD limite son émergence du fait de la complexité de la mise au point et du développement d’un réseau de protection pour la puce.L’objectif annoncé de ce travail de recherche, effectué en collaboration entre STMicroelectronics le CEA et l’IMEP est d’évaluer les caractéristiques principales de la technologie pour la protection contre les décharges et de proposer une stratégie innovante de protection adaptée au SOI. En effet, à partir de résultats expérimentaux, nous avons pu constater que l’oxyde enterré, le BOX, limite les performances en robustesse et diminue la fenêtre de conception pour le déclenchement des protections. Pour y remédier, une structure commandée bidirectionnelle a été développée sur PDSOI afin de faciliter la dissipation thermique et améliorer la robustesse. Pour prolonger cette solution sur technologie FDSOI, une étude approfondie sur le thyristor afin a été menée afin de porter cette solution. L’analyse de simulation 3D et de résultats silicium ont permis de proposer une stratégie de protections innovantes pour le thyristor sur FDSOI.