Sorin Cristoloveanu
Sorin Cristoloveanu a dirigé les 55 thèses suivantes :
Conception de protection 3D contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant (FD SOI) film mince multi couches
par Louise De conti sous la direction de Philippe Galy , Sorin Cristoloveanu et de Maud Vinet . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 02-10-2019
Etude et intégration d’un circuit analogique, basse consommation et à faible surface d'empreinte, de neurone impulsionnel basé sur l’utilisation du BIMOS en technologie 28 nm FD-SOI
par Thomas Bedecarrats sous la direction de Philippe Galy , Claire Fenouillet-Béranger et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 04-09-2019
Dispositifs innovants de la technologie FD-SOI
par Hyungjin Park sous la direction de Jean-Pierre Colinge et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI
par Kyunghwa Lee sous la direction de Maryline Bawedin et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Étude détaillée des dispositifs à modulation de bandes dans les technologies 14 nm et 28 nm FDSOI
par Hassan El dirani sous la direction de Philippe Ferrari et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 19-12-2017
Conception, fabrication et caractérisation de nouveaux dispositifs de FDSOI avancés pour protection contre les décharges électrostatiques
par Sotirios Athanasiou sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 17-01-2017
Etude des mécanismes affectant la fiabilité des oxydes enterrés ultra-minces et des dispositifs avancés en technologie FDSOI
par Guillaume Besnard sous la direction de Sorin Cristoloveanu , Xavier Garros et de Frédéric Allibert . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 03-06-2016
Filière technologique hybride InGaAs/SiGe pour applications CMOS
par Lukas Czornomaz sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Jean Fompeyrine . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 22-01-2016
Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator)
par Antoine Litty sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Sylvie Ortolland . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 11-01-2016
Caractérisation et modélisation électrique de substrats SOI avancés
par Luca Pirro sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Irina Stefana Ionica . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 24-11-2015
Caractérisation électrique et modélisation du transport dans matériaux et dispositifs SOI avancés
par Fanyu Liu sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Irina Stefana Ionica . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 05-05-2015
Conception, fabrication et caractérisation de dispositifs innovants de protection contre les décharges électrostatiques en technologie FDSOI
par Yohann Solaro sous la direction de Philippe Ferrari , Sorin Cristoloveanu , Pascal Fontenau et de Claire Fenouillet-Béranger . - Grenoble
Nano électronique et nano technologies
Soutenue le 11-12-2014
Etude de nano-transistors à faible pente sous le seuil pour des applications très basse consommation
par Anthony Villalon sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Cyrille Le Royer . - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-12-2014
Modélisation, simulation et caractérisation de dispositifs TFET pour l'électronique à basse puissance
par Alberto Revelant sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Luca Selmi . - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 15-05-2014
Modélisation physique de la réalisation des jonctions FDSOI pour le noeud 20nm et au-delà
par Benoît Sklénard sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-04-2014
Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI
par Sungjae Chang sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 28-10-2013
Nouvelles méthodes pseudo-MOSFET pour la caractérisation des substrats SOI avancés
par Amer El Hajj Diab (El hajj diab) sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Irina Stefana Ionica . - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 10-12-2012
Dispositifs innovants à pente sous le seuil abrupte : du TEFT au Z²-FET
par Jing Wan sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-07-2012
Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant
par Thomas Benoist sous la direction de Pierre Gentil et de Sorin Cristoloveanu . - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 27-04-2012
Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils
par Kiichi Tachi sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Thomas Ernst . - Grenoble
Micro et nanoélectronique
Soutenue le 08-07-2011
Caractérisation et modélisation électrique de substrats SOI innovants
par Quang Tuan Nguyen sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Pierre Gentil . - Grenoble INPG
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2009
Effets de canal court, de couplage et de substrat flottant dans les transistors MOS à triple-grille sur les SOI
par Kyoung-Il Na sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Jung-Hee Lee . - Grenoble INPG
NanoélectroniqueNanoélectronique
Soutenue en 2009
Caractérisation, modélisation et simulation des transistors SOI MOSFET décananométriques
par Noel Rodriguez Santiago sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Francisco Gamiz . - Grenoble INPG
Micro et nano-électroniqueMicro et nano-électronique
Soutenue en 2008
Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal
par Wipa Chaisantikulwat sous la direction de Mireille Mouis et de Sorin Cristoloveanu . - Grenoble INPG
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2008
Effets transitoires de film flottant pour des applications mémoires dans le cadre de transistors MOS en technologie silicium-sur-isolant complètement désertée
par Maryline Bawedin sous la direction de Denis Flandre et de Sorin Cristoloveanu . - Grenoble INPG
Micro et nano-électroniqueMicro et nano-électronique
Soutenue en 2007
Modeling of advanced nanometer scale MOSFETs devices with the multi-subband Monte Carlo approach
par Luca Lucci sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Luca Selmi . - Grenoble INPG
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2007
Etude de la sensibilité des dispositifs nanoélectroniques ultimes à base de SOI face aux particules des environnements radiatifs terrestres et spatiaux
par Marc Gaillardin sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2007
Architectures avancées de transistors CMOS SOI pour le nœud 32 nm et en deça : films ultra-fins, contraintes mécaniques, BOX mince et plan de masse
par Claire Gallon sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Thomas Skotnicki . - Grenoble INPG
Micro-nanoélectronique
Soutenue en 2007
Transistor SOI à quatre grilles : caractérisation, modélisation et applications
par Kerem Akarvardar sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Pierre Gentil . - Grenoble INPG
Micro-nanoélectronique
Soutenue en 2006
Architectures avancées des transistors FinFETS : réalisation, caractérisation et modélisation
par Romain Ritzenthaler sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Olivier Faynot . - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2006
Architectures innovantes pour les transistors SOI
par Frédéric Daugé sous la direction de Jalal Jomaah et de Sorin Cristoloveanu . - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2005
Nouvelles architectures de mémoires embarquées compatibles CMOS
par Alexandre Villaret sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Thomas Skotnicki . - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2004
Solutions technologiques avancées pour CMOS ultime : grille métal damascene, diélectrique high-k, SOI avec film mince, alumine enterrée et plan de masse
par Kyosuke Oshima sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Hiroshi Iwai . - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2004
Analyse de transistors SOI à dimensions critiques et architectures multi-grilles
par Jérémy Pretet sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2003
Etude des matériaux unibond et développement de transistors innovants sur soi
par Frédéric Allibert sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2003
Etude des structures MOSFET avancées sur SOI pour les applications basse consommation
par Thomas Ernst sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 2000
Caractérisation et modélisation des éléments actifs de technologies CMOS sur silicium sur isolant pour des applications à haute température (125-350 degrés celsius)
par Emmanuel Augendre sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Microélectronique
Soutenue en 1999
Dopage du carbure de silicium par implantation ionique
par Jocelyne Gimbert sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Microélectronique
Soutenue en 1999
Modélisation et caractérisation des transistors SOI : du pseudo-MOSFET au MOSFET submicronique ultramince
par Daniela Munteanu sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Sciences et techniques
Soutenue en 1999
Etude du comportement physique et électrique de dispositifs 0. 2 µm en technologie silicium sur isolant
par Philippe Flatresse sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique des composants à semiconducteurs
Soutenue en 1999
Etude en haute température des transistors MOS submicroniques fabriqués sur silicium isolant
par Günter Reichert sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique des composants à semiconducteurs
Soutenue en 1998
Étude de la réalisation de matériau silicium sur isolant (SOI) à partir du collage par adhésion moléculaire silicium sur oxyde (procédé Smart-Cut®)
par Christophe Maleville sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique. Microélectronique
Soutenue en 1997
Étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procédés SIMOX Faible Dose et Smart-Cut®
par Caroline Guilhalmenc sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Microélectronique
Soutenue en 1997
Etude de dispositifs mos fabriques sur carbure de silicium pour la microelectronique haute temperature
par Edwige Bano sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Sciences appliquées
Soutenue en 1997
Etude des transistors MOS avancés sur silicium sur isolant (SOI) : bruit, dégradation en environnement radiatif et applications
par Federico Faccio sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Optique, optoélectronique et microondes
Soutenue en 1997
Caractérisation et modélisation du fonctionnement des transistors MOS ultra-submicroniques fabriqués sur films SIMOX très minces
par Olivier Faynot sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique des composants à semiconducteurs
Soutenue en 1995
Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant
par Hachemi Serghir sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Sciences appliquées
Soutenue en 1995
Modèles physiques et analyse du fonctionnement des composants MOS intégrés sur SIMOX
par Thierry Ouisse sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique composants semiconducteurs
Soutenue en 1991
Hétéroépitaxie des systèmes GaAs/Si et GaAs/InP par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques
par Nasserdine Draidia sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Optique, optoélectronique, micro-ondes
Soutenue en 1991
Modèles de fonctionnement et méthodes spécifiques d'analyse des composants intégrés MOS de la filière silicium sur isolant (SIMOX)
par Mohamed Tarek Elewa sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physiqe des composants. Microélectronique
Soutenue en 1990
Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques
par Hisham S Haddara sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Physique composants semiconducteurs
Soutenue en 1988
Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température
par Chiên Nguyen-Duc sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue en 1988
Réalisation de structures silicium sur isolant (SSI) par implantation d'ions oxygène : simox
par Jacques Margail sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Systèmes électroniques
Soutenue en 1987
Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques
par Narcisse Revil sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Micro-électronique
Soutenue le
Modélisation physique des effets du vieillissement et méthodes d'extraction des paramètres des transistors MOS submicroniques sur silicium massif et S. O. I.
par Abdelkader Hassein-Bey sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble INPG
Optique, optoélectronique, micro-ondes
Soutenue le
Sorin Cristoloveanu a été président de jury de la thèse suivante :
A study of interfaces and nanostructures by time of flight mass spectrometry : towards a spatially resolved quantitative analysis
par Matthieu Py sous la direction de Jean-Michel Hartmann - Grenoble
Génie civil
Soutenue le 30-09-2011
Sorin Cristoloveanu a été rapporteur de la thèse suivante :
Capteurs d’images CMOS à haute résolution à Tranchées Profondes Capacitives
par Benoit Ramadout sous la direction de Guo Neng Lu et de François Roy . - Lyon 1
Microélectronique
Soutenue le 10-05-2010
Sorin Cristoloveanu a été membre de jury des 2 thèses suivantes :
Study of HBT operation beyond breakdown voltage : Definition of a Safe Operating Area in this operation regime including the aging laws
par Mathieu Jaoul sous la direction de Cristell Maneux et de Thomas Zimmer . - Bordeaux
Electronique
Soutenue le 05-05-2020
Etude et optimisation de la stabilité thermique du silicure et du beol intermédiaire pour l'intégration 3D séquentielle
par Fabien Deprat sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 16-03-2017
