Etude de la formation du siliciure de titane par réaction directe : Influence et redistribution des dopants
Auteur / Autrice : | Meriem Berrabah |
Direction : | Jean-Claude Dupuy |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Dispositifs de l'électronique intégrée |
Date : | Soutenance en 1994 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
La première partie de ce travail fait le point sur les méthodes d'élaboration ainsi que sur les propriétés comparatives des siliciures de métaux réfractaires. Il en ressort que le siliciure de titane est un matériau de grande utilité pour la microéléctronique silicium. Les techniques d'analyse mises en œuvre sont décrites (SIMS, RBS, RX, TEM) et s'avèrent bien complémentaires. L'accent est mis sur l'analyse par SIMS qui fait l'objet d'un développement spécifique à cette étude. La formation du siliciure de titane par réaction directe est étudiée pour différents fours et différentes conditions (encapsulation ou oxydation partielle); les températures de formation sont compatibles avec les contraintes d'une technologie de type salicide, et la couche formée évolue rapidement vers la composition TiSi2. Enfin, le rôle des dopants présents dans le silicium ainsi que la redistribution spatiale pendant, et après, la formation du siliciure sont étudiés.