Jean-Claude Dupuy
Jean-Claude Dupuy a dirigé les 9 thèses suivantes :
Etude et caractérisation du matériau CuAI1% utilisé en tant que couche de germination pour améliorer les performances de fiabilité des interconnexions des technologies 45 nm et ultérieures
par Thomas Vanypre sous la direction de Jean-Claude Dupuy et de Brice Gautier . - Lyon, INSA
Dispositifs de lélectronique intégrée
Soutenue en 2008
Etude des propriétés et de l'intégration de barrières auto-positionnées sur cuivre formées par des procédés de siliciuration et de dépôts auto-catalytiques dans les interconnexions des circuits intégrés microélectroniques des générations 45 nm
par Sonarith Chhun sous la direction de Jean-Claude Dupuy et de Laurent Gosset . - Lyon, INSA
Dispositifs de lélectronique intégrée
Soutenue en 2006
Caractérisation par spectrométrie de masse des ions secondaires des zones actives du CMOS ultime : étude de la rugosité en fond du cratère et ses conséquences sur la vitesse d'érosion et sur la résolution en profondeur
par Boubker Fares sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 2004
Amélioration de la résolution en profondeur de l'analyse SIMS par déconvolution : algorithmes spécifiques et application aux couches dopées ultra-minces de la micro-électronique silicium
par Gérard Mancina sous la direction de Jean-Claude Dupuy et de Rémy Prost . - Lyon, INSA
Dispositifs de lélectronique intégrée
Soutenue en 2001
Analyse ultime par Spectrométrie de Masses des Ions Secondaires des matériaux de la microélectronique avancée : contribution à l'interprétation des profils de bore dans le silicium
par Nicolas Baboux sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Dispositifs de l'Electronique Intégrée
Soutenue en 2001
Etude de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires : détermination de la fonction de résolution pour le bore dans le silicium, mise au point d'une procédure de déconvolution et applications
par Brice Gautier sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Dispositifs de l'Electronique Intégrée
Soutenue en 1997
Etude de la formation du siliciure de titane par réaction directe : Influence et redistribution des dopants
par Meriem Berrabah sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 1994
Caractérisation physico-chimique, simulation et modélisation d'une technologie analogique avancée BICMOS
par Marc Tarabbia sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1993
Etude de la sensibilité et de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires : application à la silice et au silicium
par Gilles Prudon sous la direction de Jean-Claude Dupuy - Lyon, INSA
Electronique -Dispositifs de l’Électronique Intégrée
Soutenue en 1990
