Dispositifs III-V pour l'étude de l'effet Hall quantique de spin

III-V devices for studying the quantum spin Hall effect

• Auteur / Autrice : Jonathan Brunat
• Direction : Benoit Jouault, Jean-Baptiste Rodriguez
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Inscription en doctorat le 01/10/2026
• Etablissement(s) : Université de Montpellier (2022-....)
• Ecole(s) doctorale(s) : École Doctorale Information, Structures, Systèmes
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : IES - Institut d'Electronique et des Systèmes

Mots clés

Mots clés libres

Effets Hall quantiques

Technologie semiconducteurs III-V

Quantum Hall effects

III-V semiconductor technologies

Résumé

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