Système d'adaptation automatique de la durée de temps-mort pour l'optimisation de la conduction inverse des composants de puissance en technologies dites à grand gap (SiC, GaN).

Automatic dead-time control for reverse conduction optimization of wide band-gap power transistors (SiC, GaN).

• Auteur / Autrice : Matthieu Masson
• Direction : Marc Cousineau, Nicolas Rouger
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Composants et Systèmes de gestion de l'Energie
• Date : Inscription en doctorat le 15/11/2021
• Etablissement(s) : Université de Toulouse (2023-....)
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Génie électrique, électronique et télécommunications
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LAPLACE - Laboratoire PLAsma et Conversion d'Énergie
• Partenaire(s) de recherche : Equipe de recherche : CS - Groupe Convertisseurs statiques
• Partenaire(s) de recherche : établissement délivrant conjointement le doctorat : Institut national polytechnique (Toulouse ; 1969-....)

Mots clés

Mots clés libres

Commande de grille

Circuits intégrés

Optimisation du temps mort

Composants à grand gap

Gate driver

Analog integrated circuits

Adaptive deadtime

SiC MOSFET

Résumé

L'objectif principal de ces travaux de thèse sera d'apporter des réponses en termes de stratégie de contrôle permettant d'adapter la durée des temps-morts pour la commande d'une cellule de commutation dans le but de limiter les pertes dues soit à un mécanisme de recirculation inverse soit à l'amorçage d'un transistor de puissance à fort niveau de tension. La ou les stratégies obtenues devront pouvoir être implémentées au sein de circuits intégrés (type Driver) réalisés en technologie smartmos pour la conception de convertisseurs de puissance dans le domaine automobile utilisant des composants grand-gap.

The main objective is to find out a control strategy allowing a real time optimization of the dead-time duration for power switching cell control in order to lower losses due to reverse current conduction or the triggering of a high voltage power transistor. The strategy (or strategies) obtained will be implemented in a gate driver integrated circuit realized in smartmos technology to design automotive power converter using wide band-gap devices.