Dispositifs ultimes à désertation totale sur substrat isolant pour applications en radio fréquence
Auteur / Autrice : | Yinyin Zhang fu |
Direction : | Claire Fenouillet-beranger, Jean-Pierre Raskin |
Type : | Projet de thèse |
Discipline(s) : | Nano électronique et Nano technologies |
Date : | Inscription en doctorat le 11/11/2024 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI) |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
La thèse sera effectuée dans le cadre du projet NEXTGEN visant à développer en France la prochaine génération de dispositifs en silicium SOI afin de renforcer la compétitivité européenne dans le secteur de la microélectronique. Le laboratoire d'accueil est chargé d'explorer, de planifier, et de piloter le développement des dispositifs actifs RF : il s'agira de mener de la recherche en utilisant des instrumentations à l'état de l'art tout en travaillant en étroite collaboration avec nos partenaires académiques et industriels. La thèse sera dirigée en collaboration avec le professeur Raskin, de l'Université Catholique de Louvain, Belgique, expert en dispositifs SOI-RF et acteur académique réputé pour une électronique plus durable. Le but de la thèse est de participer à la réalisation complète des dispositifs RF: leurs spécifications électriques, leurs conceptions, la comparaison de leurs performances par rapport à d'autres technologies et leurs impacts sur l'environnement.