Contrôle de l'interface photonique de centres colorés individuels dans le silicium
Auteur / Autrice : | Alicia Morandini |
Direction : | Isabelle Robert-philip |
Type : | Projet de thèse |
Discipline(s) : | Physique et Astrophysique |
Date : | Inscription en doctorat le 31/08/2024 |
Etablissement(s) : | Université de Montpellier (2022-....) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École Doctorale Information, Structures, Systèmes |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : L2C - Laboratoire Charles Coulomb |
Equipe de recherche : Axe de Recherche Physique de l'Exciton du Photon et du Spin |
Mots clés
Résumé
L'objectif du projet est d'explorer les propriétés quantiques de centres colorés du silicium récemment isolés à l'échelle individuelle. Ces défauts ponctuels fluorescents émettent des photons uniques dans le proche infrarouge et dans les bandes télécom adaptées aux communications longues distances dans les fibres optiques. Le but est d'étudier, de comprendre et de contrôler les propriétés de cohérence optique de ces centres colorés du silicium afin d'évaluer leur potentiel pour les technologies quantiques. La première tâche du projet sera dédiée à la prise en mains et au développement d'une nouvelle expérience de microspectroscopie à froid optimisée pour la détection d'émetteurs individuels dans le proche infrarouge. Le premier objectif scientifique consistera à développer l'excitation résonante de défauts individuels dans le silicium pour étudier leur structure fine et la stabilité de leurs raies d'émission. Le phénomène de diffusion spectrale sera caractérisé de manière rigoureuse et différents protocoles seront étudiés pour s'en affranchir. Le second objectif sera de démontrer l'émission de photons uniques indiscernables sur des temps longs sur un défaut fluorescent individuel, en réalisant une expérience de coalescence de photons ou de Hong-Ou-Mandel. Ensuite, le contrôle par effet Stark de la longueur d'onde d'émission des défauts sera exploré. Le but final de la thèse sera de réaliser une expérience de Hong-Ou-Mandel entre deux centres colorés individuels distants dans le silicium.