Caractérisation de l'influence des défauts cristallins sur les propriétés électriques du nitrure de gallium (GaN)
Auteur / Autrice : | Etienne Lavallee |
Direction : | Antoine Guitton, Claire Chisholm |
Type : | Projet de thèse |
Discipline(s) : | Sciences des Matériaux |
Date : | Inscription en doctorat le 28/09/2023 |
Etablissement(s) : | Université de Lorraine |
Ecole(s) doctorale(s) : | C2MP - CHIMIE MECANIQUE MATERIAUX PHYSIQUE |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LEM3 - Laboratoire d Etude des Microstructures et de Mécanique des Matériaux |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
La microscopie électronique a balayage (MEB) peut généralement être utilisée pour caractériser les défauts microstructuraux dans les matériaux cristallins. L'imagerie par contraste de canalisation des électrons (ECCI) permet une observation directe des défauts cristallins tels que les dislocations proches de la surface (environ 100 nm de profondeur) d'un échantillon massif. Cette technique émergeante d'imagerie MEB a le potentiel d'imager les changements de contraste a la surface en utilisant des règles d'orientation spécifiques du cristal et les utiliser pour caractériser les défauts de manière non-destructive. L'objectif de cette thèse est d'observer les propriétés cristallographiques du nitrure de gallium (GaN) en utilisant le MEB et de discuter de ces caractéristiques dans le cadre de leur comportement électrique au sein des puces en GaN.