Dépôt sélectif localisé d'oxydes pour la microélectronique

Localised selective deposition of oxydes for microelectronics

• Auteur / Autrice : Ludovic Hahn
• Direction : Vincent Jousseaume
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : MAT - Matériaux
• Date : Inscription en doctorat le 02/10/2023
• Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Ingénierie - matériaux mécanique énergétique environnement procédés production (Grenoble ; 2008-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : CEA Grenoble - LETI

Mots clés

Mots clés libres

Films minces

Dépôts sélectifs de zone

Ald

Oxides

Thin films

Area selective deposition

Ald

Oxydes

Résumé

La thèse porte sur le dépôt sélectif localisé basé sur l'utilisation d'une couche organique permettant la désactivation des réactions chimiques de surface dans l'ALD, le but étant la déposition de couches d'oxydes épaisses. De plus, la mise en évidence des mécanismes à l'origine de la sélectivité et la formation des défauts sera étudiés.

The thesis focuses on localised selective deposition based on the use of an organic layer to deactivate surface chemical reactions in ALD, with the aim of depositing thick oxide layers. In addition, the mechanisms at the origin of selectivity and defect formation will be studied.