Développement d'un nouveau procédé de fabrication detransducteurs ultrasonores de type CMUT pour des applicationsmédicales de fortes puissance
Auteur / Autrice : | Aubry Jacquenod |
Direction : | Dominique Certon |
Type : | Projet de thèse |
Discipline(s) : | Electronique |
Date : | Inscription en doctorat le 08/11/2022 |
Etablissement(s) : | Tours |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Groupe de recherche en Matériaux, Microélectronique, Acoustique et Nanotechnologies |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
Le doctorant aura pour mission de développer un nouveau procédé de fabrication de CMUT basé sur une technique dite de « wafer bonding ». Cette étape de fabrication consiste à venir coller deux substrats silicium ensemble dont l'un, le plus fin des deux, correspond à la partie mobile du MEMS. Il pourra s'appuyer sur les travaux du laboratoire étudiant la fiabilité des dispositifs de type CMUT. Les objectifs visés durant la thèse sont les suivants : (1) minimiser le piégeage de charge en travaillant sur les matériaux et la qualité des interfaces isolant/(semi)conducteur et isolant/vide. (2) D'optimiser la sensibilité du CMUT à l'aide de nouveaux design, (3) de rigidifier partiellement et localement la membrane afin d'augmenter l'efficacité du déplacement de celle-ci, afin (4) de maximiser la pression acoustique à puissance électrique constante, tout en (5) minimisant également les pertes résistives d'accès aux capacité enterrées, qui agissent comme des pertes dans l'alimentation de ces dispositifs capacitifs. Cette approche, participe à la fiabilisation d'une nouvelle génération de dispositifs CMUT offrant un niveau de répétabilité et de performances destinées à des applications médicales et plus particulièrement à l'émission ultrasonore de forte puissance pour la destruction acoustique de cellules cancéreuses visualisées en continu, qui sera réalisée à l'aide de ces nouveaux dispositifs robustes et large bande.