Développement de matériaux et procédés pour les substrats RFSOI

Materials and process development for RFSOI substrates

• Auteur / Autrice : Martin Perrose
• Direction : Xavier Garros
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Nano électronique et Nano technologies
• Date : Inscription en doctorat le 26/10/2022
• Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI)

Mots clés

Mots clés libres

Matériaux

Substrats

Radio-fréquence

Soi

Materials

Substrates

Radiofrequency

Soi

Résumé

Les composants radiofréquence sont largement utilisés pour les technologies de communication. En particulier, les substrats RF-SOI fournissent des modules de haute qualité, nécessaires pour les exigences de la 4G et du futur réseau (5G) pour des transmissions de données plus rapides et plus fiables. Pour les dispositifs ayant des besoins de linéarité élevés, une couche riche en pièges est ajoutée sous l'oxyde enterré. Durant cette thèse, nous soutiendrons une étude exploratoire de nouvelles structures pièges permettant d'améliorer les performances et/ou la fabrication des substrats RFSOI.

Radiofrequency components are widely used in telecommunication technologies. RFSOI substrates provide high quality devices which fullfill 4G and 5G requirements for faster and more reliable data transmissions. To fullfill linearity requirement of advanced devices, a burried trap-rich layer is add beneath the oxide. During this thesis, we will study new trapping structures to enchance performances and manufacturing processes of RFSOI substrates.