Contribution au développement de capteur THz innovant en technologie RF-SOI & BiCMOS visant des applications d’imagerie et de communication haut débit

Contribution in the development of THz Detectors in RF-SOI & BiCMOS technologies targeting imaging and high-speed communication applications

• Auteur / Autrice : David Ovalle taylor
• Direction : Cyril Luxey, Guillaume Ducournau
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Doctorat sciences pour l'ingenieur
• Date : Inscription en doctorat le 15/04/2021
• Etablissement(s) : Université Côte d'Azur
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences fondamentales et appliquées (Nice ; 2000-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Polytech'Lab

Mots clés

Mots clés libres

Communication THz sans-fil

Mélangeur sous-harmonique

Diode Schottky

6g

BiCMOS

Rf-soi

THz wireless communications

Sub-harmonic Mixer

Schottky Barrier Diode

6g

BiCMOS

Rf-soi

Résumé

Ce sujet de thèse propose d’investiguer l’optimisation de diode Schottky innovante en technologie BiCMOS 55 nm et RF SOI en cours de développement sur le site de STMicroelectronics à Crolles. L’objectif est d’atteindre des fréquences de coupure > 2 THz afin d’offrir des performances comparables aux diodes Schottky GaAs disponibles commercialement. Ces diodes pourraieont alors être utilisées dans le cadre de la conception de mélangeur subharmonique fonctionnant au-delà de 200 GHz.

This thesis proposes to evaluate the optimization of novel Schottky diodes in BiCMOS 55 nm and RF-SOI technologies in development at STMicroelectronics (Crolles). The objective is to achieve cutoff frequencies above > 2 THz in order to offer performances comparable to GaAs commercial Schottky diodes. These diodes could be used in the development of a sub-harmonic mixer working above 200 GHz.