Thèse en cours

Conception d'un circuit dédié au calcul dans la mémoire à base de technologie 3D innovante

FR  |  
EN

Accès à la thèse

AttentionLa soutenance a eu lieu en 2022. Le document qui a justifié du diplôme est en cours de traitement par l'établissement de soutenance.
Auteur / Autrice : Mona Ezzadeen
Direction : Jean-michel Portal
Type : Projet de thèse
Discipline(s) : Sciences pour l'ingénieur
Date : Soutenance en 2022
Etablissement(s) : Aix-Marseille
Ecole(s) doctorale(s) : Sciences pour l'ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (353)
Jury : Président / Présidente : Cristell Maneux
Examinateurs / Examinatrices : Francois Andrieu, Bastien Giraud
Rapporteur / Rapporteuse : Olivier Sentieys, Ian O'connor

Résumé

FR  |  
EN

Avec le développement de l'internet des objets et de l'intelligence artificielle, le ''déluge de données'' est une réalité, poussant au développement de systèmes de calcul efficaces énergétiquement. Dans ce contexte, en effectuant le calcul directement à l'intérieur ou à proximité des mémoires, le paradigme de l'in/near-memory-computing (I/NMC) semble être une voie prometteuse. En effet, les transferts de données entre les mémoires et les unités de calcul sont très énergivores. Cependant, les classiques mémoires Flash souffrent de problèmes de miniaturisation et ne semblent pas facilement adaptées à l'I/NMC. Ceci n'est pas le cas de nouvelles technologies mémoires émergentes comme les ReRAM. Ces dernières souffrent cependant d'une variabilité importante, et nécessitent l'utilisation d'un transistor d'accès par bit (1T1R) pour limiter les courants de fuite, dégradant ainsi leur densité. Dans cette thèse, nous nous proposons de résoudre ces deux défis. Tout d'abord, l'impact de la variabilité des ReRAM sur les opérations de lecture et de calcul en mémoire est étudié, et de nouvelles techniques de calculs booléens robustes et à faible impact surfacique sont développées. Dans le contexte des réseaux de neurones, de nouveaux accélérateurs neuromorphiques à base de ReRAM sont proposés et caractérisés, visant une bonne robustesse face à la variabilité, un bon parallélisme et une efficacité énergétique élevée. Dans un deuxième temps, pour résoudre les problèmes de densité d'intégration, une nouvelle technologie de cube mémoire 3D à base de ReRAM 1T1R est proposée, pouvant à la fois être utilisée en tant que mémoire de type NOR 3D dense qu'en tant qu'accélérateur pour l'I/NMC.