Thèse en cours

Modélisation et caractérisation des structures HEMT à base de BAlGaN/GaN et application à la réalisation de transistors tests

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Triangle exclamation pleinLa soutenance a eu lieu le 11/12/2012. Le document qui a justifié du diplôme est en cours de traitement par l'établissement de soutenance.
Auteur / Autrice : Vinod Ravindran
Direction : Abdallah Ougazzaden
Type : Projet de thèse
Discipline(s) : Physique
Date : Inscription en doctorat le 10/12/2007
Soutenance le 11/12/2012
Etablissement(s) : Université de Lorraine
Ecole(s) doctorale(s) : Energie, Mécanique, Matériaux
Partenaire(s) de recherche : Equipe de recherche : Laboratoire matériaux optiques, photonique et systèmes
Jury : Président / Présidente : Jean-paul Salvestrini
Examinateurs / Examinatrices : Ali Soltani, Marie-antoinette Di forte-poisson
Rapporteurs / Rapporteuses : Christian Brylinski, Michel Rousseau

Mots clés

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