Arnaud Curutchet
Mots clés
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Fiabilité
Nitrure de gallium
Transistors à effet de champ à dopage modulé
HEMT
Transistors bipolaires à hétérojonctions
GaN
UMTS (norme)
Carbure de silicium
AlGaN/GaN
AlInN/GaN
Hyperfréquences
Caractérisations électriques
Bruit aux basses fréquences
Sources de bruit en 1/f
Tests de vieillissement accéléré
Contraintes électriques
ARV
Simulation EM
Calibrage sur silicium
De-embedding