Spectroscopie optique des centres G dans le silicium : des ensembles au centre unique
Auteur / Autrice : | Walid Redjem |
Direction : | Guillaume Cassabois, Emmanuel Rousseau |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance le 08/11/2019 |
Etablissement(s) : | Montpellier |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Information, Structures, Systèmes (Montpellier ; 2015-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire Charles Coulomb (Montpellier) |
Jury : | Président / Présidente : Lucyna Firlej |
Examinateurs / Examinatrices : Guillaume Cassabois, Emmanuel Rousseau, Lucyna Firlej, Xavier Marie, Jean-Philippe Poizat, Marco Abbarchi, Sara Ducci | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Xavier Marie, Jean-Philippe Poizat |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Le silicium est le semi-conducteur le plus utilisé dans l’industrie de la micro-électronique depuis les années 60. Mais l’utilisation du silicium pour émettre de la lumière reste limitée de par la nature indirecte de son gap. Dans ce contexte, le centre G est le plus prometteur… Nous avons effectué des mesures de spectroscopie optique pour caractériser les propriétés de photoluminescence des centres G. Celui ci est crée par irradiation protons d’un échantillon de silicium enrichi carbone. Les principaux résultats sont les suivants : nous avons mesuré la dynamique de recombinaison des centres G (le temps de vie) qui est de 6 ns. On a mesuré la dynamique de l’état métastable des centres G qui a un temps de vie de 6 us. Puis, nous avons pour pu isoler un centre unique dans le silicium ; et nous avons montré que celui-ci émet des photons uniques.