Oxydation thermique du chrome pur en atmosphère contrôlée : propriétés semiconductrices et structurales de la chromine

Pure chromium thermal oxidation in controlled atmosphere : chromia semiconducting and structural properties

• Auteur / Autrice : Yohan Parsa
• Direction : Laurence Latu-Romain
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
• Date : Soutenance le 08/11/2018
• Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Ingénierie - matériaux mécanique énergétique environnement procédés production (Grenoble ; 2008-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Science et ingénierie des matériaux et procédés (Grenoble)
• Jury : Président / Présidente : Fiqiri Hodaj
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Sébastien Chevalier, Stéphane Mathieu
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : Sébastien Chevalier, Eric Andrieu

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs

Oxydation

Mots clés libres

Chromine

Défauts ponctuels

Met-Astar

Oxydation haute température

Photoélectrochimie

Propriétés semiconductrices

Chromia

Point defects

Temp-Astar

High temperature oxidation

Photoelectrochemistry

Semiconducting properties

Résumé

La durabilité chimique des alliages métalliques résulte notamment de la nature des défauts ponctuels assurant le transport au travers du film d’oxydation formé en surface. L'élaboration de couches d'oxyde modèles par oxydation thermique en pression contrôlée et ALD (Atomic Layer Deposition) et l'étude de leurs propriétés semi conductrices (conditionnées par la nature des défauts ponctuels) devrait permettre une meilleure compréhension des mécanismes de formation de ces couches d'oxyde.

The chemical durability of the metal alloy results in particular from the nature of point defects providing transport through the oxidation film formed on the surface. Models oxide layers, grown by thermal oxidation and Alomic Layer Deposition, will be studied by photoelectrochemistry. This will provide us information about the semiconductive properties of the oxide, determined by the point defect in the oxide layer, and should allow us a better understanding of the formation mechanism of these oxide.