Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn
Auteur / Autrice : | Filsane Filsan Ahmed Youssouf |
Direction : | Aotmane En Naciri, Luc Johann |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance le 18/05/2011 |
Etablissement(s) : | Metz |
Ecole(s) doctorale(s) : | SESAMES - Ecole Doctorale Lorraine de Chimie et Physique Moléculaires |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LPMD - Laboratoire de Physique des Milieux Denses - EA 3469 |
Jury : | Président / Présidente : Gilles Lérondel |
Examinateurs / Examinatrices : Brice Vincent | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Azzedine Boudrioua, Pierre Richard Dahoo |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Ce travail de thèse s’inscrit dans le cadre de l’étude des réponses optiques des nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI. Ici nous avons déterminé les propriétés optiques de ZnTe, ZnS et ‘ZnS : Mn’ nanostructurés par ellipsométrie spectroscopique (SE). Nous avons déterminé la fonction diélectrique et les transitions optiques des NC-ZnTe par SE dans la gamme spectrale 0.6 à 6.5 eV. L’influence de la taille des NC sur les propriétés optiques et en particulier sur les transitions optiques a été aussi montrée. Les réponses optiques ont été déterminées en utilisant deux modèles : le modèle des points critiques d’Adachi et la loi de dispersion de Tauc-Lorentz. Tout au long de ce travail, nous avons tenté de contribuer à la compréhension du processus d’absorption dans les NC semi-conducteurs avec une technique non destructive capable de rendre compte des phénomènes liés à la réduction de la taille. Malgré le caractère indirect de l’ellipsométrie nécessitant une bonne connaissance de l’échantillon, nous avons démontré qu’elle est capable de déterminer plusieurs propriétés des NC (indice de réfraction complexe, coefficient d’absorption, énergie de gap, signatures des transitions optiques, excès de NC, taille moyenne, épaisseurs des couches de silice) et même de tenir compte des défauts liés à l’implantation