Thèse soutenue

Turbo décodage de code produit haut débit

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Auteur / Autrice : Francisco Javier Cuevas Ordaz
Direction : Ramesh Pyndiah
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance en 2004
Etablissement(s) : Lorient

Résumé

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Cette thèse s’inscrit dans la continuité des recherches menées sur les nouvelles techniques de codes correcteurs d’erreurs, faisant suite aux travaux sur les turbo codes, TCB, introduits en 1994 par R. Pyndiah. Elle propose une architecture novatrice de turbo décodage des codes produits, utilisant des codes BCH étendus comme codes élémentaires. Cette nouvelle architecture qui oblige à stocker plusieurs données à une même adresse mémoire, permet de traiter un débit d’information élevé. Dans un premier temps, nous proposons une nouvelle architecture haut débit de turbo décodage mettant en œuvre un code BCH (32,26,4) à entrées et sorties pondérées corrigeant 1 erreur (code de Hamming). Puis, nous consacrons la seconde série de résultats au décodage haut débit de code BCH (128,106,8) à fort pouvoir de correction, corrigeant 3 erreurs (distance minimale du code produit d=64) et à fort rendement (R proche de 0,7). Le premier avantage de ces conceptions est d’utiliser un seul plan mémoire (n2 échantillons regroupés par bloc de m2) en entrée. Les conceptions des décodeurs élémentaires présentés sont capables de traiter m données à la fois, m=1, 2, 4 et 8. Le deuxième résultat est qu’en parallélisant m décodeurs de ce type pour l’architecture du turbo décodeur, on obtient une vitesse de décodage m2 fois plus élevée pour une surface m2/2 fois plus grande des décodeurs élémentaires. Pour comparer les performances et la complexité entre les différents décodeurs, le langage C a été utilisé pour les simulations, le langage VHDL pour les simulations fonctionnelles et Synopsys Design Compiler pour la synthèse. Les résultat ainsi obtenus ouvrent la possibilité d’intégration sur le silicium de turbo décodeurs à fort pouvoir de correction (distance de 64, rendement de 0,8) et à très haut débit (6,4 Gbits/s dans une technologie CMOS 0. 18μm).