Doctoral thesis in Micro-ondes
Under the supervision of Jean-Luc Gautier.
defended on 1996
in Grenoble INPG .
Study design and applications of heterojunction bipolar transistor based-differential structures
Abstract not available
Le travail presente expose une approche analytique de l'etude et de la conception de structures differentielles a transistors bipolaires a heterojonction. La rejection du mode pair d'une structure differentielle a transistor est etroitement liee a son impedance de couplage. Une etude analytique de la structure permet d'etablir la relation donnant l'impedance de couplage ideale qui permet une rejection parfaite du mode pair. Des calculs analytiques, developpees a partir des parametres z d'un schema equivalent de transistor, permettent de concevoir une impedance de couplage qui se rapproche le plus possible du comportement de l'impedance de couplage ideale. Ces memes relations servent a analyser les limitations frequentielles de la rejection du mode pair ainsi qu'a etablir un lien entre la rejection du mode pair et la frequence de transition des transistors utilises. Les resultats de cette etude sont appliques au transistor bipolaire a heterojonction pour la conception de structures differentielles performantes dans le domaine microondes. Les plus interessantes sont le dephaseur 180 degres large bande et l'ebauche d'un amplificateur operationnel hyperfrequence