Etude des protections contre les décharges électrostatiques sur les technologies MOS
Auteur / Autrice : | Francois Tailliet |
Direction : | Jean-Pierre Chante |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Dispositifs de l'électronique intégrée |
Date : | Soutenance en 1991 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LCPA - Laboratoire de composants de puissance et applications (Lyon, INSA1987-1991) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
La protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques est assurée par des composants spéciaux incorporés. Sont décrites les diverses sources d'ESD et les procédures de test destinées à les reproduire. Un catalogue des protections typiques de 1985 montre la faiblesse de l'état de l'Art, comme le confirment les méthodes d'anal se de défauts. La conception de structures ESD était alors empirique et aboutissait à des résultats irréguliers. On présente ici une approche plus scientifique. Est étudié le comportement transitoire de la "onction P-N et du bipolaire latéral N-P-N. Un programme de simulation a été développé spécialement pour modéliser la mise en conduction de la diode. Les résultats en bon accord avec l'expérience, sont extrapolés au N-P-N. La théorie a permis de développer de nouvelles structures de protection et d'améliorer les existantes. Ceci s'applique aux entrées, aux sorties et aux alimentations. Ces composants, adaptés aux spécifications des circuits, n'ont maintenant rien à envier à leurs homologues discrets.