L'Etude de l'influence des oxydes sur les propriétés électriques des composants électroniques en phosphure d'indium

Study of oxide influence on electrical properties of electronic devices in indium phosphide

• Auteur / Autrice : Abdelhakim Mahdjoub
• Direction : Jacques Joseph
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Dispositifs de l’électronique intégrée
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Ecully, Ecole centrale de Lyon
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de physique chimie des interfaces (Ecully, Rhône)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Phosphure d'indium

Composants électroniques

Semiconducteurs

Résumé

Le phosphure d'indium (inp) est un semiconducteur potentiellement interessant pour l'electronique. Mais son utilisation necessite un controle des proprietes de surface et notamment des oxydes. L'etude systematique des proprietes physicochimiques des oxydes chimiques et electrochimiques a montre l'interet du phosphate condense in(po::(3))::(3). Dans cette these l'influence de ces oxydes sur les proprietes electriques des capacites metal isolant semiconducteur a ete examine. Le role des differents parametres d'oxydation (electrolyte, tension electrique) a ete etudie. Ce travail a permis de proposer une solution optimisee a la passivation de l'inp par les oxydes, permettant d'obtenir des interfaces de bonne qualite. Le minimum de la densite des etats d'interface est typiquement inferieur o 10**(1)1 etats par cm**(2) et ev donc comparable aux meilleurs resultats obtenus sur ce materiau. L'hysteresis est faible et la stabilite dans le temps correcte