Eric Bergeault
IdRefMots clés
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Amplificateurs de puissance
Amplificateur de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
GaN
MOS complémentaires
Cmos
CMOS
LTE (norme)
Modélisation
DPD
Caractérisation temporelle d’enveloppe
Stabilité pulse à pulse
Effets thermiques
Effets de pièges
Transistors de puissance
Combinaison de puissance
LTE
Transformateur intégré
Linéarité