Mohamed Bouslama
IdRefMots clés
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Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
GaN HEMT
Pièges
Signature de pièges
TCAD simulation
Paramètres S BF
IDLTS
Densité spectrale du courant de bruit
Semiconducteurs
Carbure de silicium
Thermoreflectance
Les transistors HEMT GaN
Constantes de temps thermiques
La réduction d’ordre
Analyse par éléments finis
Simulation thermique
Résistance thermique
Thermoreflectance transitoire
Méthode 3ω