René Escoffier
Mots clés
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Vieillissement
MOS (électronique)
Méthodes de simulation
Méthode des éléments finis
Silicium
Oxydation
Silice
Propriétés électriques
Faisceaux électroniques
Charge d'espace
Modèles mathématiques
Modes de défaillance
Transistor HEMT-GaN
Commutation cyclique
Piégeage / de-Piégeage
Électronique de puissance
Commutation (électricité)
GaN
Caractérisation
Modélisation